检索首页
阿拉丁已为您找到约 3526条相关结果 (用时 0.3472632 秒)

天龙光电拟投超募资金开发mocvd设备

led照明设备成为光伏新能源公司天龙光电的“新宠”。2月18日公司发布公告称,已与华晟光电签订合同,共同在常州合资成立独立法人的中外合资公司,主要从事mocvd设备及外延工艺的研

  https://www.alighting.cn/news/20110221/115835.htm2011/2/21 13:17:09

高亮度高纯度白光led封装技术研究

系,两色光相混后即可得到白光。 美国lumileds公司在2001年研制出了a1gainn功率型倒装片结构led(fcled),具体做法是:第一步,在p型外延层上沉积厚度大于5

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134163.html2011/2/20 23:13:00

利用表面粗化技术提高发光二极管的出光效率

管外量子效率不高的原因很大程度上在于氮化物外延层和空气的反射系数差异较大导致的全反射问题。根据报道, gan 和空气的反射系数分别是 2.5 和 1 。因此在 ingan-ga

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134153.html2011/2/20 23:08:00

中大尺寸lcd背光应用的led驱动方案

性的基础上,电源驱动才能匹配led的特定需要,才能够实现更完善的驱动策略。led实际上也是一种半导体器件。在led的制造过程中,如图1所示, 在3英寸的led晶圆外延片上,可以制造

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134151.html2011/2/20 23:07:00

gan基发光二极管的可靠性研究进展

配的衬底材料,外延生长的gan薄膜中往往包含有大量的缺陷,其大部分的是线性位错,器件工作时,接触金属的在电应力和热应力的作为下就会沿这些位错线迁移到达结区,从而形成低阻欧姆通道,造

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134120.html2011/2/20 22:55:00

si衬底gan基材料及器件的研究

绍了si衬底gan基材料生长及特性方面的研究现状和gan基器件的进展情况。 关键词:gan;si衬底;外延生长 中图分类号:tn316 文献标识码:a 文章编号:1003

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134118.html2011/2/20 22:54:00

led结构生长原理以及mocvd外延系统的介绍

第一章 外延在光电产业角色 近十几年来为了开发蓝色高亮度发光二极管,世界各地相关研究的人员无不全力投入。而商业化的产品如蓝光及绿光发光二级管led及激光二级管ld的应用无

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134112.html2011/2/20 22:50:00

led封装结构及其技术

标是达到年产300亿只的能力,实现超高亮度aigslnp的led外延片和芯片的大生产,年产10亿只以上红、橙、黄超高亮度led管芯,突破gan材料的关键技术,实现蓝、绿、白的led的

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134095.html2011/2/20 22:17:00

led多芯片集成功率光源及发展趋势

蓝光激发产生蓝绿红三色染料 蓝色led znse 外延层出现蓝光,激发衬底出黄光 紫外led ingan/荧光粉 紫外光激发三基色荧光

  http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133864.html2011/2/19 23:34:00

led的多种形式封装结构及技术

到年产300亿只的能力,实现超高亮度aigslnp的led外延片和芯片的大生产,年产10亿只以上红、橙、黄超高亮度led管芯,突破gan材料的关键技术,实现蓝、绿、白的led的中批

  http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133866.html2011/2/19 23:34:00

首页 上一页 211 212 213 214 215 216 217 218 下一页