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0ma，而且led的光衰电流不能大于if/3，大约15ma和18ma。led的发光强度仅在一定范围内与if成正比,当if＞20ma时，亮度的增强已经无法用内眼分出来。因此，le

http://blog.alighting.cn/165648/archive/2012/12/11/303041.html2012/12/11 0:35:47

0ma，而且led的光衰电流不能大于if/3，大约15ma和18ma。led的发光强度仅在一定范围内与if成正比,当if＞20ma时，亮度的增强已经无法用内眼分出来。因此，le

http://blog.alighting.cn/nianhua/archive/2012/12/17/304089.html2012/12/17 19:33:01

杆照明方式配置灯具时，属高杆照明。　　2.0.10 截光型灯具 cut-off luminaire 　　灯具的最大光强方向与灯具向下垂直轴夹角在 0°～65°之间，90°

http://blog.alighting.cn/wjd7525/archive/2010/1/5/24661.html2010/1/5 12:12:00

要：　　传统的 led 及其模块光、色、电参数检测方法有电脉冲驱动,ccd 快速光谱测量法,也有在一定的条件下,热平衡后的测量法,但这些方法的测量条件和结果与led 进入照明器具

http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230132.html2011/7/19 0:00:00

传统的led 及其模块光、色、电参数检测方法有电脉冲驱动 ,ccd 快速光谱测量法,也有在一定的条件下,热平衡后的测量法,但这些方法的测量条件和结果与led 进入照明器具内的实

http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230134.html2011/7/19 0:03:00

、新工艺、新科技以及人们对各种照明原理及其使用环境的深入研究，突破了以往单纯照明、亮化环境的传统理念，极大丰富了现代灯具、灯饰对照明环境的表现力与美化手段。在技术工程设计中采用计

http://blog.alighting.cn/lanjianghong/archive/2011/9/1/234490.html2011/9/1 10:12:25

片，在 p 型半导体和 n 型半导体之间有一个过渡层，称为 p-n 结。在某些半导体材料的 pn 结中，注入的少数载流子与多数载流子复合时会把多余的能量以光的形式释放出来，从而把电

http://blog.alighting.cn/88307/archive/2012/10/17/293375.html2012/10/17 11:14:18

片，在 p 型半导体和 n 型半导体之间有一个过渡层，称为 p-n 结。在某些半导体材料的 pn 结中，注入的少数载流子与多数载流子复合时会把多余的能量以光的形式释放出来，从而把电

http://blog.alighting.cn/nianhua/archive/2012/10/19/293848.html2012/10/19 22:31:19

片，在 p 型半导体和 n 型半导体之间有一个过渡层，称为 p-n 结。在某些半导体材料的 pn 结中，注入的少数载流子与多数载流子复合时会把多余的能量以光的形式释放出来，从而把电

http://blog.alighting.cn/nianhua/archive/2012/10/19/293935.html2012/10/19 22:34:58

片，在 p 型半导体和 n 型半导体之间有一个过渡层，称为 p-n 结。在某些半导体材料的 pn 结中，注入的少数载流子与多数载流子复合时会把多余的能量以光的形式释放出来，从而把电

http://blog.alighting.cn/nianhua/archive/2012/12/17/304540.html2012/12/17 19:38:24