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少在控制fet和同步fet中使用powertrench® mosfet屏蔽柵極技術而產生的振鈴噪聲。同步fet還集成了一個肖特基二極管，免除外部緩衝器電路，提高總體性能和功率密度，同
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/5/27/180477.html2011/5/27 22:30:00
多大？作为企业，了解越清晰越易定位。 此外，技术是led企业、行业寻找竞争力的安身之本。led外延技术国内主要集中于复合硅衬底、氧化锌等方面的研究，芯片技术、材料、结构方面较
http://blog.alighting.cn/yakeys/archive/2011/5/26/180390.html2011/5/26 11:57:00
n precision industries）、立基（ligitek electronics）、光宝（lite-on technology）。 合肥爱默尔电子科技有限公司专注于智能照明和酒
http://blog.alighting.cn/hfamedz/archive/2011/5/26/180361.html2011/5/26 10:26:00
本文阐述对一种采用微晶芯片制成的管型基元led的研究,这种管型基元led结构是将n个≤25μm×25μm的芯片贴装在透光导热良好的基片上,通过串并联后再与梳篦状结构的导电和导
https://www.alighting.cn/resource/20110524/127562.htm2011/5/24 12:38:10
t的4wdemo，主要应用于10w以内的调光led灯泡以及10w-15 w之间的led模块/筒灯。此款产品兼容原有的照明控制器件，包括可控硅和晶体管调光器，支持大多数现有的调光解决方
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/5/23/180213.html2011/5/23 23:10:00
低一次性封装成本；分散的封装形式有利于减低散热设计成本；选择国产的铝基pcb板材；便于光学设计；电源设计简化；封装形式多样；有利增强国产led竞争力。 这是cree、nichi
http://blog.alighting.cn/lighting-design/archive/2011/5/22/180081.html2011/5/22 7:57:00
、以及 薄膜陶瓷基板三种，在传统高功率led元件，多以厚膜或低温共烧陶瓷基板作为晶粒散热基 板，再以打金线方式将led晶粒与陶瓷基板结合。 如前言所述，此金线连结限制了热量沿电
http://blog.alighting.cn/kinder/archive/2011/5/20/179997.html2011/5/20 22:41:00
http://blog.alighting.cn/kinder/archive/2011/5/20/179994.html2011/5/20 22:35:00
计，安装，维护方便； 4.led显示屏技术参数 规格 单元箱体尺寸mm×mm 分辨率点/㎡ 重 量 kg/㎡ 显 示 基 色 灰 度 等 级 显 示 颜 色 ph25mm 102
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/5/20/179906.html2011/5/20 0:44:00
断研发产生了好几代亮度越来越高的器件。在1990年左右推出的基于碳化硅(sic)裸片材料的led效率大约是0.04流明/瓦，发出的光强度很少有超过15毫堪(millicande
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/5/20/179868.html2011/5/20 0:30:00
