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法在蓝宝石衬底上生长的蓝色ｇａｎ基ｌｅｄ外延片，外延片为多量子阱结构。芯片制造中，ｎ欧姆接触电极采用ｔｉ／ａｌ／ｔｉ／ａｕ结构，ｐ欧姆接触电极用氧化ｎｉ／ａｕ透明电极，焊线电极
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261482.html2012/1/8 21:45:35
近 30 lm/w。；能够推出全彩色 oled 的公司和研究单位越来越多，采用低温多晶硅 tft 驱动的全彩色器件也已经被开发了出来；白光 oled 得到了广泛的重视，已制成的白光器
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261472.html2012/1/8 21:40:10
良的电极结构，视窗层衬底或结区的材料以及导电银胶等均存在一定的电阻值，这些电阻相互垒加，构成led元件的串联电阻。当电流流过p—n结时，同时也会流过这些电阻，从而产生焦耳热，引致芯
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261458.html2012/1/8 21:36:25
底上生长出pn结后将蓝宝石衬底切除再连接上传统的四元材料，制造出上下电极结构的大尺寸蓝光led芯片。 2.5algainn/碳化硅（sic）背面出光法： 美国cre
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261445.html2012/1/8 21:33:10
1,cree 著名led芯片制造商，美国cree公司，产品以碳化硅(sic)，氮化镓(gan),硅(si)及相关的化合物为基础,包括蓝,绿,紫外发光二极管(led),近紫外激
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261443.html2012/1/8 21:33:08
成。它可以直 接用于照明现场进行测量。简单的照度计可采用硒光电池，精度较高的照度计采 用硅光电池。 5.亮度计 亮度计是用于测量光源或物体表面亮度的仪器。使用亮度计，可以
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261435.html2012/1/8 21:28:55
示画质，将会是什么效果了。 低温多硅显示屏曝光 各大厂商除在显示质量方面明争暗斗之外，显示面积当然也是另一个兵家必争之地。拥有特大显示面积的tft显示屏纷纷出笼。东芝公司将
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261429.html2012/1/8 21:28:20
d，绿光led。1994年蓝光led的研制成功使白光led的开发成为可能。1996年日本nichia（日亚）公司成功开发出二波长白光（基于蓝光单晶片衬底上加以yag黄色荧光粉混合产生白
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261422.html2012/1/8 21:28:08
明。《意见》则进一步明确了我国led照明节能产业的重点发展领域：一是技术与装备。支持mocvd装备、新型衬底、高纯mo源(金属有机源)等关键设备与材料的研发;开展氮化镓材料、ole
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261419.html2012/1/8 21:27:52
、sic导电衬底，具有背面电极的红光、黄光、黄绿芯片，采用银胶。对于蓝宝石绝缘衬底的蓝光、绿光led芯片，采用绝缘胶来固定芯片。） 工艺难点在于点胶量的控制，在胶体高度、点胶位置均有详
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261400.html2012/1/8 20:28:07
