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led芯片大厂美国cree公司在14-15日在日经电子和日经微器件共同举办的led技术研讨会2007上，介绍了在SiC底板上形成的蓝色led的开发状况，并展示了开发中的蓝色le
https://www.alighting.cn/news/20070620/105925.htm2007/6/20 0:00:00
美国cree公司在2007年6月14～15日“日经电子”和“日经微器件”共同举办的“led技术研讨会2007”上，介绍了SiC底板上形成的蓝色led的开发状况。
https://www.alighting.cn/news/20070620/121161.htm2007/6/20 0:00:00
美国led大厂cree日前宣佈，旗下的材料事业已经成功地将无微管(zmp) 的SiC衬底尺寸做到4英吋，约合10公分的长度，将有助于n-type型态的发展，也对氮化鎵(gan)
https://www.alighting.cn/news/20070530/106317.htm2007/5/30 0:00:00
膜电晶体(a-sitft)基板上，采用litrex公司的喷墨印表机打
https://www.alighting.cn/news/20070524/107823.htm2007/5/24 0:00:00
2007年5月23日，cree宣布在SiC技术开发上又出现了一座新里程碑-4英寸(100mm)零微管(zmp)n型SiC衬底。
https://www.alighting.cn/news/20070524/120729.htm2007/5/24 0:00:00
在863计划新材料领域“半导体照明工程”重大项目的支持下，近期山东大学晶体材料国家重点实验室徐现刚教授领导的研究小组承担的“SiC单晶衬底制备”课题（课题编号：2006aa03
https://www.alighting.cn/resource/20070520/128497.htm2007/5/20 0:00:00
山东大学晶体材料国家重点实验室在大直径SiC单晶研究方面取得突破性进展，成功生长出直径3英寸的SiC单晶；2英寸半绝缘SiC单晶衬底达到“开盒即用(epi-ready)”的水平。
https://www.alighting.cn/news/2007516/V5083.htm2007/5/16 16:06:33
近日，山东大学晶体材料国家重点实验室在大直径SiC单晶研究方面取得突破性进展，成功生长出直径３英寸的SiC单晶；２英寸半绝缘SiC单晶衬底达到“开盒即用(epi-ready)
https://www.alighting.cn/resource/20070512/128495.htm2007/5/12 0:00:00
日本电器化学(denka)与日本daiwa工业合资成立led散热基板新事业后，台厂聚鼎科技 (polytronics；6224）日前也正式宣佈与深耕散热基板领域20年之久的日本
https://www.alighting.cn/news/20070426/106595.htm2007/4/26 0:00:00
日本电器化学公司(denka)与拥有led散热机板技术「agsp」的日本daiwa工业日前正式宣佈将合资新事业，将针对具备高导热係数的led高性能散热基板进行研究开发、制造与贩售。
https://www.alighting.cn/news/20070426/106598.htm2007/4/26 0:00:00
