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量尺寸为(300μm×300μm)的这两种芯片分别通高达1 a的大电流在测试台上加速老化1 h。结果显示,铜基板si衬底gan基led芯片有更大的饱和电流,光输出效率更高,工作电压
https://www.alighting.cn/2013/6/4 10:41:39
采用极性电气石(0001)晶面作为生长衬底,通过超声雾化热解技术,制备出直立片状晶体交叉构成的纳米zno薄膜,xrd和raman测试显示晶体为六方纤锌矿结构.利用电子探针和穆斯堡
https://www.alighting.cn/resource/20130603/125542.htm2013/6/3 10:41:19
作的铝芯金属线路板,低成本、低热阻、性能稳定、便于加工和进行多样结构的封装是其突出优点。对采用mao工艺的mcpcb基板封装的瓦级单芯片led进行了热场的有限元模拟,结果显示其热
https://www.alighting.cn/resource/20130524/125568.htm2013/5/24 15:46:06
制备了人工opal晶体模板,运用mocvd方法在sio2人工opal球体间填充了高折射率的inp晶体,选择了mocvd生长inp的有关参数.样品扫描电子显微镜及反射谱结果检测显
https://www.alighting.cn/resource/20130509/125625.htm2013/5/9 10:41:41
以红色led材料algainp,绿色和蓝色led材料ingan三芯合一的全彩led为研究对象,通过大量实验及所测数据,研究用高密高位led作场序彩色液晶显示器背光源,在不同情况
https://www.alighting.cn/2013/4/3 10:13:43
因可归结为芯片欧姆接触的退化及芯片材料中缺陷密度的提高。样品的热特性变化显示出各结构层热阻均明显增大,这是由散热通道上各层材料的老化及焊料层出现大面积空洞引起的。分析表明,高温老
https://www.alighting.cn/resource/20130329/125786.htm2013/3/29 11:28:17
光辐射图并进行对比。刻蚀之后，在ito表面形成了圆柱体和凹坑结构，它们的高度随着刻蚀时间增大。结果显示，led的出光功率和随着刻蚀时间的增加而增加。由于圆柱体和凹坑结构的形成以及它
https://www.alighting.cn/resource/20130319/125863.htm2013/3/19 10:05:03
一条最长达15米的柔性火龙管，能弯曲，跑动，追逐，流水，扫描。灯具采用全树脂封胶，达到全方位防水；（长度01m—15m随意定做）根据要求更能显示图案的智能火龙管，普遍用于弧形结
http://blog.alighting.cn/hekaifeng/archive/2010/3/3/34784.html2010/3/3 18:07:00
研究了热退火对ingan/gan多量子阱led的ni/au p gan欧姆接触的影响。发现在空气和n2气氛中交替地进行热退火的过程中ni/au接触特性显示出可逆现象。ni/au
https://www.alighting.cn/2013/1/29 15:47:52
使用脉冲激光沉积(pld)方法在石英(sio2)和单晶si(111)基底上制备了具有高c轴择优取向的zno薄膜。测试结果显示:在30～70sccm氧气流量范围内,氧气流量5
https://www.alighting.cn/resource/20130128/126105.htm2013/1/28 13:14:42
