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大功率led关键技术mocvd最新进展

术。由于整个竖式led结构采用mocvd技术生长,这种技术不仅仅决定led的质量和性能,而且在很大程度上决定led制造的产量和成本。因此,mocvd生产率的优化和营运成本的减

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127093.html2011/1/12 17:24:00

基于si衬底的功率型gan基led制造技术

技部项目验收。   si衬底led芯片制造   1.1技术路线   在si衬底上生长gan,制作led蓝光芯片。   工艺流程:在si衬底上生长aln缓冲层→生长n型gan

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127090.html2011/1/12 17:23:00

led驱动器通用性能的要求

、故障处理(保护特性)、要遵从的标准及可靠性等;    ⅴ、更多考虑因素:机械连接、安装、维修/替换、寿命周期、物流

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127078.html2011/1/12 17:18:00

浪涌对led灯具的影响

周期的,而如果输入电压瞬间变化(高达上千伏),而时间很短(几十,几百ms),这时开关电源根本没有时间去调整,这时的表现就是瞬间的高压传导到输出端,尤其是现在led日光灯用的降压电

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127076.html2011/1/12 17:17:00

离模剂使用量对led产品的影响1

具的使用周期和寿命。   led产品使用内离模与外离模两种,一般高端产品均使用外离模,外离模就是直接将离模剂涂敷在模具上对产品直接进行离模;工艺方面比内离模剂要求更高。   外

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127041.html2011/1/12 16:43:00

独家:led 照明灯具设计方案(详细步骤)2

少 led 光源上的电流纹波。   bp2808的cs端采集电流采样电阻rs1~rs2上的峰值电流,由内部逻辑在单周期内控制out脚信号的脉冲占空比进行恒流控制,输出恒流与d5、l

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127034.html2011/1/12 16:40:00

t8荧光灯与led管灯用于商业照明的经济技术分析

方检测报告)   厦门商业用电价格为0.98元/度,以此电价进行分析,可以推算出使用表1中led管灯替代36wt8荧光灯在5375小时处即可收回成本,还不到t8荧光灯的半个生命周

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127035.html2011/1/12 16:40:00

高亮度矩阵式led封装挑战和解决方案2

出和在led工作时保持温度稳定是必须的。   本例采用了金属线加固脉冲热量回流。在脉冲加热周期中,利用一个伺服系统控制的上升曲线使温度从预热温度上升到回流温度,与传统的加热系统相

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127031.html2011/1/12 16:39:00

从led器件技术进步看户外显示屏发展趋势

十一世纪,led从外延材料生长、芯片制作到器件封装均取得了大幅度的技术进步,led综合光效已提高了3~4倍。因此采用压缩视角而提高光轴方向亮度的技术方法已不应再成为业界提高亮度的唯

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127021.html2011/1/12 16:34:00

硅衬底上gan基led的研制进展

ⅲ 族氮化物半导体材料广泛用于紫、蓝、绿和白光发光二极管,高密度光学存储用的紫光激光器,紫外光探测器,以及高功率高频电子器件。然而由于缺乏合适的衬底,目前高质量的gan膜通常都生

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/126998.html2011/1/12 0:46:00

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