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玩转升压调节器——预测leD驱动器反馈环路

、输出36v/1a的电压调节器,Dc增益计算得出的结果约为30Db。对比一下,驱动10个白光leD((vo ≈36v)的电流调节器,电流也为1a、输入也为12v,其Dc增益仅为6D

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基于cplD的leD大屏幕视频控制系统

器的地址和控制信号由一片控制芯片(isplsi1032e)产生。它们在显示系统中的关系如图1所示。 大屏幕显示范围为1024列×768行,时钟频率65mhz,整个显示区域分为6个存

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聚光条件下太阳电池的热电特性分析

6给出了换热系数对系统性能的影响规律。从图中可以看出,换热系数越高,系统的性能越好,而且随着光强的升高,换热系数的影响越来越显著。空气自然对流换热系数的最高值为10w/(m2·

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光纤leD驱动电路的设计

统的指标要求与选定的光纤,选择820nm波长可使hcs光纤损耗低至6Db/km,同时色散也达到最小。·光源的选择:在820m波长下,leD是可以选用的最佳光源,与半导体激光器相

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照明leD的特性测量

得了一定的成果。但leD的物理测量问题,至今尚未全部解决。2004年6月cie在日本再次举行cie leD专家研讨会(cie leD expert symposium),进一步探

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oleD显示模块与c8051f单片机的接口设计

1f020_output_config() {p2mDout = 0x00; //配置p2.5(lcD_wr),p2.6(lcD_rD),         //p2.7(lcD_r

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gan基发光二极管的可靠性研究进展

℃,与之对应leD退化率也很小,所以引起塑料封装材料变化,对leD的寿命有重要的影响的温度范围是135~145℃,另外,在大电流条件下,封装材料甚至会碳化[4-6],在器件表面生

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si衬底gan基材料及器件的研究

长的外延技术主要有金属有机物化学汽相淀积(mocvD)[3,4]、分子束外延(mbe)[5]、氢化物汽相外延(hvpe)[6] 等。2.1 mocvDmocvD是一种非平衡生长技

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leD产业发展即将进入大时代 温家宝撰文支持

D封装企业鸿利光电、显示屏企业奥拓电子分别成功登陆深圳创业板和中小板,2011年6月22日,深圳洲明科技股份有限公司在深圳成功上市。2011年7月12日,深圳瑞丰光电(30024

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leD的应用优势及存在问题

不会影响其寿命,并且启动速度非常快。(6)可以通过控制半导体发光层半导体材料的禁止带幅的大小,从而发出各种颜色的光线,且彩度更高,如图2所示。(7)光源中不添加汞,有利于保护环境。(

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