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科电子喜获两项国家发明专利授权

近日,科电子两项发明专利《一种具有集成电路的发光器件及其制造方法》和《一种发光二极管器件及其制造方法》成功获得国家知识产权局授权。

  https://www.alighting.cn/news/20131017/111834.htm2013/10/17 11:37:40

led节能灯的核心元件与组装工艺流程

本节主要讲述led节能灯和led玉米灯的核心元件和组装工艺流程,针对市面常见的容降压驱动的一分壹led节能灯进行深入的共同探讨。

  https://www.alighting.cn/resource/20131017/125222.htm2013/10/17 10:09:01

科电子两项发明专利喜获授权

近日,科电子两项发明专利《一种具有集成电路的发光器件及其制造方法》和《一种发光二极管器件及其制造方法》成功获得国家知识产权局授权。

  https://www.alighting.cn/news/20131016/n527757517.htm2013/10/16 16:51:21

从色度学谈大功率led的可靠性设计

本文从色度学方面探讨了大功率发光二极管(led)的可靠性,证实设计问题是影响大功率led可靠性的主要因素,并分析了的不合理减小会影响产品的可靠性。欢迎下载参考!

  https://www.alighting.cn/resource/2013/10/16/143648_24.htm2013/10/16 14:36:48

能光电宣布硅衬底大功率led通过lm80测试

近期,能光电宣布其硅衬底大功率led芯片系列已经通过了6,000小时的美国环保署认可的第三方ies lm80测试,公司现可根据需要提供lm80测试数据。

  https://www.alighting.cn/pingce/20131016/121679.htm2013/10/16 13:34:10

高功率led散基板发展趋势

余80至85%则转换成,若这些未适时排出至外界,那么将会使led粒界面温度过高而影响发光效率及发光寿

  https://www.alighting.cn/2013/10/16 10:32:18

浅谈led的量产生原因

与传统光源一样,半导体发光二极管(led)在工作期间也会产生热量,其多少取决于整体的发光效率。在外加电能量作用下,电子和空穴的辐射复合发生电致发光,在p-n结附近辐射出来的光还需经

  https://www.alighting.cn/2013/10/16 10:26:01

能光电宣布硅衬底大功率led通过lm80测试

近期,能光电宣布其硅衬底大功率led芯片系列已经通过了6,000小时的美国环保署认可的第三方ies lm80测试,公司现可根据需要提供lm80测试数据。

  https://www.alighting.cn/news/20131016/n241757471.htm2013/10/16 8:58:15

led光源照明设计与模拟分析

发光二极体(led)从原本仅能应用於指示信号及景观装饰,提升至照明领域,原因在於磊、製程、封装等整体技术提升,促成led亮度增进。

  https://www.alighting.cn/2013/10/15 10:52:22

科锐授权nncrystal远程荧光粉专利组合

2013 年10月15日,科锐宣布与杭州纳科技有限公司美国子公司nncrystal us corp.签署一项全球范围内的非排他授权协议,允许nncrystal使用科锐远程荧光

  https://www.alighting.cn/news/20131015/108876.htm2013/10/15 9:45:40

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