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少是mocvd系统制造商的一个关键目标。影响mocvd工艺的生产率和成本的精确参数分析是任何改善努力的前提。通过这种分析，我们发现产率(每单位时间生产的晶圆面积)和产量是关键特性。
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127093.html2011/1/12 17:24:00
法把外延层转移到导电基板上，再用si腐蚀液把si衬底腐蚀去除并暴露n型gan层，使用碱腐蚀液对n型面粗化后再形成n型欧姆接触，这样就完成了垂直结构led芯片的制作。结构图见图
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127090.html2011/1/12 17:23:00
e晶圆。之后，利用激光照射溶解掉gan类结晶层与蓝宝石底板的界面部分，剥离蓝宝石底板。 近年来，为了增加从led芯片中提取光线，在基片上形成半导体结晶层后，将基片张贴到其他基
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127074.html2011/1/12 17:16:00
v;整个方案效率大于90%;总功耗：15瓦;最大的光通量：1,250流明。 2. led模组部分 cl-822 led主要材料为nichia的晶圆和荧光粉。正向电压值为3.
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127036.html2011/1/12 16:41:00
十一世纪，led从外延材料生长、芯片制作到器件封装均取得了大幅度的技术进步，led综合光效已提高了3～4倍。因此采用压缩视角而提高光轴方向亮度的技术方法已不应再成为业界提高亮度的唯
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127021.html2011/1/12 16:34:00
延片（以前切割led 外延片主要用钻石刀），制造成芯片后，在晶圆上的不同位置抽取九个点做参数测试。 1、主要对电压、波长、亮度进行测试，能符合正常出货标准参数的晶圆片再继续
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127001.html2011/1/12 0:49:00
行探索。由于gan材料的电荧光对晶体缺陷并不敏感，因此人们预期在si衬底上异质外延生长ⅲ族氮化物发光器件在降低成本方面具有明显的技术优势。 人们还期待使用si衬底今后还有可能
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/126998.html2011/1/12 0:46:00
明领域的能力。尽管目前的性能优势并不明显，但随着外延、芯片技术的快速突破和封装技术的不断进步，led作为照明光源的性能将远优于传统光源的性能，这一前景是可以期待的。 led光
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/126996.html2011/1/12 0:45:00
目前，中国半导体照明产业发展向好，外延芯片企业的发展尤其迅速、封装企业规模继续保持较快增长、照明应用取得较大进展。色温：光源发射光的颜色与黑体在某一温度下辐射光色相同时，黑体的温
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/126981.html2011/1/12 0:16:00
去在led产业链的优势主要集中在中游封装和下游应用上，去年中国企业在led上游的外延芯片上下大功夫，一口气引入500—600台mocvd设备，这等于之前台湾企业15年的引入总量，等
http://blog.alighting.cn/renjian/archive/2011/1/11/126927.html2011/1/11 10:10:00
