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之材料及其外延技术中,红色及绿色发光二极管之外延技术大多为液相外延成长法为主,而黄色、橙色发光二极管目前仍以气相外延成长法成长磷砷化镓gaasp材料为主。 一般来说,GaN的成长须
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258517.html2011/12/19 10:57:31
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261548.html2012/1/8 21:49:35
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262722.html2012/1/29 0:39:56
短短数年内,台湾已成为全球以氮化镓(GaN)为主要制造材料的蓝光二极管(led)制造大本营。GaN不过才发明10年,现在已成为ssl(solid-state lighting)建
https://www.alighting.cn/news/2007210/V3148.htm2007/2/10 16:38:31
射上,在algainp的结构中增加一层dbr(distributed bragg reflector)反射层,将另一边的光源折向同一边。GaN方面则将基板材料换成蓝宝石(sapphire,al2o
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134124.html2011/2/20 22:58:00
2010年led背光tv市场迅速增长,mocvd机台增加众多,市场上led用蓝宝石衬底处于供不应求的状态。而蓝宝石晶体生长炉的数量与品质决定了蓝宝石衬底的数量与品质。为此ledin
https://www.alighting.cn/news/20100830/86222.htm2010/8/30 0:00:00
目前日本日亚公司垄断了蓝宝石衬底上GaN基led专利技术,美国cree公司垄断了sic衬底上GaN基led专利技术。因此,研发其他衬底上的GaN基led生产技术成为国际上的一个热
https://www.alighting.cn/resource/20100701/129051.htm2010/7/1 0:00:00
晶(flip-chip)封装。该产品只用了可以保持原先基板的覆晶技术,cree将sic外延基板打薄后,对其背面进行表面处理(texturing),以增加取光效率。对基板进行表面处
http://blog.alighting.cn/zszmzk/archive/2013/5/6/316607.html2013/5/6 10:33:58
http://blog.alighting.cn/zszmzk/archive/2013/5/6/316608.html2013/5/6 10:35:11
膜,这就很难避免晶格匹配这个大问题。一般都是在蓝宝石衬底上先生长氮化物的缓冲层,然后再异质外延inn薄膜,研究显示,GaN缓冲层上生长的inn薄膜比较理想。mbe技术生长可以精确控
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229952.html2011/7/17 23:30:00