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led芯片的技术发展状况

长625 nm algainp基超高亮度发光二极管的内量子效率可达到100%,已接近极限。algainn基材内存在的晶格和热失配所致的缺陷、应力和电场等使得algainn基超高亮

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232833.html2011/8/19 1:07:00

led芯片的技术发展状况

长625 nm algainp基超高亮度发光二极管的内量子效率可达到100%,已接近极限。algainn基材内存在的晶格和热失配所致的缺陷、应力和电场等使得algainn基超高亮

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/233025.html2011/8/19 23:25:00

元则电器,则.定未来

艺以及新材等方面与客户一道不断探索、创新不止。产品质量上获得了美国儿、c—ul、欧洲tuv、中国cqc认证,同时在继电器微型化、低功耗的发展趋势研究上也不断突破,拥有多项国家专

  http://blog.alighting.cn/LEDguangze/archive/2011/8/22/233322.html2011/8/22 16:32:00

泰国水灾,led厂出现转单效应

千万元,东贝并开始加开中国大陆产能,以因应缺少的感测元件和led 元件。泰国发生50年来最严重洪灾,导致多处工业区停摆之外,led大厂avago则有断的疑虑,已紧急来台寻找解决之

  http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/10/27/249163.html2011/10/27 23:17:27

亮化效果图-山东沂水县街道照明整合方案范本

关键词:亮化效果图 照明效果图 灯光效果图设计项目名称:山东沂水县街道照明整合方案范本项目概况:沂水县位于卤中南地区,是历史悠久,著名的革命老区。水资丰富,是山东省第一大河—沂

  http://blog.alighting.cn/yakeys/archive/2011/11/28/255782.html2011/11/28 10:06:15

led芯片的技术发展状况

长625 nm algainp基超高亮度发光二极管的内量子效率可达到100%,已接近极限。algainn基材内存在的晶格和热失配所致的缺陷、应力和电场等使得algainn基超高亮

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258547.html2011/12/19 10:59:07

led芯片的技术发展状况

长625 nm algainp基超高亮度发光二极管的内量子效率可达到100%,已接近极限。algainn基材内存在的晶格和热失配所致的缺陷、应力和电场等使得algainn基超高亮

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亮化效果图-山东沂水县街道照明整合方案范本

关键词:亮化效果图 照明效果图 灯光效果图设计项目名称:山东沂水县街道照明整合方案范本项目概况:沂水县位于卤中南地区,是历史悠久,著名的革命老区。水资丰富,是山东省第一大河—沂

  http://blog.alighting.cn/yakeys/archive/2011/12/28/260404.html2011/12/28 10:20:44

led芯片的技术发展状况

长625 nm algainp基超高亮度发光二极管的内量子效率可达到100%,已接近极限。algainn基材内存在的晶格和热失配所致的缺陷、应力和电场等使得algainn基超高亮

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261510.html2012/1/8 21:47:10

led芯片的技术发展状况

长625 nm algainp基超高亮度发光二极管的内量子效率可达到100%,已接近极限。algainn基材内存在的晶格和热失配所致的缺陷、应力和电场等使得algainn基超高亮

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