站内搜索
示画质，将会是什么效果了。 低温多硅显示屏曝光 各大厂商除在显示质量方面明争暗斗之外，显示面积当然也是另一个兵家必争之地。拥有特大显示面积的tft显示屏纷纷出笼。东芝公司将
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258644.html2011/12/19 11:10:42
成。它可以直 接用于照明现场进行测量。简单的照度计可采用硒光电池，精度较高的照度计采 用硅光电池。 5.亮度计 亮度计是用于测量光源或物体表面亮度的仪器。使用亮度计，可以
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258638.html2011/12/19 11:10:15
1,cree 著名led芯片制造商，美国cree公司，产品以碳化硅(sic)，氮化镓(gan),硅(si)及相关的化合物为基础,包括蓝,绿,紫外发光二极管(led),近紫外激
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258630.html2011/12/19 11:09:53
底上生长出pn结后将蓝宝石衬底切除再连接上传统的四元材料，制造出上下电极结构的大尺寸蓝光led芯片。 2.5algainn/碳化硅（sic）背面出光法： 美国cre
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258628.html2011/12/19 11:09:50
良的电极结构，视窗层衬底或结区的材料以及导电银胶等均存在一定的电阻值，这些电阻相互垒加，构成led元件的串联电阻。当电流流过p—n结时，同时也会流过这些电阻，从而产生焦耳热，引致芯
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258613.html2011/12/19 11:09:16
近 30 lm/w。；能够推出全彩色 oled 的公司和研究单位越来越多，采用低温多晶硅 tft 驱动的全彩色器件也已经被开发了出来；白光 oled 得到了广泛的重视，已制成的白光器
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258596.html2011/12/19 11:02:09
法在蓝宝石衬底上生长的蓝色ｇａｎ基ｌｅｄ外延片，外延片为多量子阱结构。芯片制造中，ｎ欧姆接触电极采用ｔｉ／ａｌ／ｔｉ／ａｕ结构，ｐ欧姆接触电极用氧化ｎｉ／ａｕ透明电极，焊线电极
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258586.html2011/12/19 11:01:38
式。采用与医学用生命支持设备相同的技术，camd发展出一种硅载体（silicon carrier）或次黏着基台（submount），以做为ingan芯片与导线框之间的内部固着介质；
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258579.html2011/12/19 11:01:19
率,避免了显示屏越大,其他单片机频率底而出现的闪烁现象。经过调试,显示屏工作稳定,已用于一些商场及公共场所,效果良
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258554.html2011/12/19 10:59:28
示器厚膜电路衬底基片材料采用常规厚膜工艺所使用的96％a12o3标准陶瓷,在选用陶瓷盖材料时,除要求其理化性能与衬底基片能够良好匹配外,还应尽量考虑降低产品制造成本。为此,我们将厚
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258553.html2011/12/19 10:59:24
