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氧化处理的蓝宝石基片上沉积的zno/mgo多量子阱的结构及光学性质研究

、原子力显微镜、透射光谱以及光致发光光谱等表征技术,研究了zno/mgo多量子阱的结构、表面形貌和光致发光等特性.xrd以及扫描的结果表明多层膜样品具有高c轴择优取向并且与蓝宝石

  https://www.alighting.cn/resource/20110906/127190.htm2011/9/6 14:26:27

退火对用pld法制备zno薄膜的发光影响

用脉冲激光沉积(pld)方法在si(111)和蓝宝石上制备的氧化锌薄膜,在不同的退火温度和不同的退火氛围中进行了退火处理.退火温度及退火氛围对zno薄膜的结构和发光特性的影响

  https://www.alighting.cn/resource/20110906/127191.htm2011/9/6 14:09:53

湿法腐蚀制备蓝宝石图形的研究

利用湿法腐蚀方法,制备出图形化蓝宝石(pss)。在相同的腐蚀时间下,研究腐蚀液温度对腐蚀蓝宝石表面形貌和外延后gan材料的影响。扫描电镜(sem)测试结果表明:随着腐蚀液温

  https://www.alighting.cn/resource/20110906/127192.htm2011/9/6 13:52:00

蓝宝石基片上制备双面tl_2ba_2cacu_2o_8超导薄膜

行了高温处理,有效改善了其结晶质量和表面形貌。采用两步法制备了双面的tl-2212超导薄膜。xrd测试显示,薄膜为纯的tl-2212相,且其晶格c轴垂直于表面。超导薄膜的tc

  https://www.alighting.cn/resource/20110906/127193.htm2011/9/6 13:37:42

紫晶光电拟投资29亿建led蓝宝石晶体项目

led蓝宝石晶体生产项目是乌鲁木齐高新区(新市区)在首届亚欧博览会上签约的9个外引内联项目之一。9个项目资金总额310亿元,比2010年乌洽会增长50%,刷新了历史记录。

  https://www.alighting.cn/news/20110906/114771.htm2011/9/6 10:55:25

深入探讨:2009led照明技术及发展趋势

型芯片产业化水平达到80-90lm/w,更加接近国际产业化水平,在设备、外延生产、芯片工艺等方面掌握了一批具有自主知识产权的技术,如si芯片光效达到70lm/w。  在200

  http://blog.alighting.cn/lsddesign/archive/2011/9/5/235054.html2011/9/5 17:57:01

蓝宝石上高密度定向单壁碳纳米管阵列的控制生长

利用含3%(质量分数)水的乙醇为碳源,在a面(11-20)蓝宝石单晶表面合成了平行于[1-100]晶格方向的单壁碳纳米管阵列,并用afm,sem和raman对其进行了表征.阵列

  https://www.alighting.cn/resource/20110905/127195.htm2011/9/5 14:58:35

蓝宝石光纤端面上zno薄膜的制备及其温变光学特性

介绍了利用电子束蒸发技术在蓝宝石光纤端面上生长具有良好表面形貌和晶体结构的zno薄膜方法.不同测试温度(室温至773k)条件下的透射光谱显示,蒸镀在蓝宝石光纤端面上的zno薄膜,

  https://www.alighting.cn/resource/20110905/127196.htm2011/9/5 14:47:06

功率型led中的光学与热学问题

热对流;sapphire材料极低的热导率导致器件热阻增加,产生严重的自加热效应,对器件的性能和可靠性产生毁灭性的影

  https://www.alighting.cn/resource/20110905/127197.htm2011/9/5 14:38:54

蓝宝石上磁控溅射法室温制备外延zno薄膜

在室温条件下,采用磁控溅射方法在蓝宝石(0001)上制备了外延的zno薄膜。采用原子力显微镜(afm)、x射线衍射仪(xrd)、可见-紫外分光光度计系统研究了zno薄膜微观结

  https://www.alighting.cn/resource/20110905/127198.htm2011/9/5 14:35:18

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