站内搜索
通接受度较高的即为以氮化铝作为散热基板；然而，目前受限于氮化铝基板不适用传 统厚膜制程（材料在银胶印刷后须经850℃大气热处理，使其出现材料信赖性问题），因此 ，氮化铝基板线路需
http://blog.alighting.cn/kinder/archive/2011/5/20/179994.html2011/5/20 22:35:00
http://blog.alighting.cn/kinder/archive/2011/5/20/179997.html2011/5/20 22:41:00
明专用驱动电源和智能控制系统开发等内容。 主要考核指标为led光源的发光效率≥100lm/w,热阻：≤9℃/w,灯具发光效率≥80lm/w,色温：3000-6000k;显色指数：
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/6/4/188331.html2011/6/4 19:44:00
或电感线圈中点引出的电气接头，通常线圈中心抽头两端的匝数应相等。 “c”grade(c级)：一种工业标准，c级器件的工作温度不能低于-20℃。 chassis moun
http://blog.alighting.cn/neuway/archive/2011/6/19/222065.html2011/6/19 23:03:00
0℃环境正常工作，只要选用两个低压电解串连使用就可以解决问题。器件选型的调整可能会略微提高驱动装置的成本，但是从led路灯的整体成本来看可以忽略不计，考虑到提高可靠性和降低维护成
http://blog.alighting.cn/zaqizaba/archive/2011/6/19/222111.html2011/6/19 23:28:00
型广告的要求。表格二老化条件：直流20ma?温度：25℃?湿度：30-40%?跳动(红)?测试项目 48h老化结果 100h老化结果 200h老化结果 500h老化结果 800h老
http://blog.alighting.cn/sztatts/archive/2011/6/22/222661.html2011/6/22 14:53:00
寸的薄硅片。此过程中产生的硅粉采用水淋，产生废水和硅渣。退火：双工位热氧化炉经氮气吹扫后，用红外加热至300~500℃，硅片表面和氧气发生反应，使硅片表面形成二氧化硅保护层。倒角：
http://blog.alighting.cn/sz_nltsmt5188/archive/2011/6/24/226838.html2011/6/24 8:33:00
抗控制于每瓦3.1℃左右，驱动功率亦高达15瓦，此种封装设计有颇多优点，尤其可在受限空间内达到一般led组件少有的高光通量表现。chip on board可有效改善散热问题 co
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229835.html2011/7/17 22:28:00
装;工作温度范围 -40～+125℃。 该器件主要应用于汽车内部或外部设备照明 灯,警灯、导航指示器及仪表板的背光灯、通用照明灯、信号灯及闪光灯等。 管脚排列与功能 ma
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229863.html2011/7/17 22:45:00
是因为led是直流电流驱动元件,当ac电源接通时,一般是使用整流元件和平滑回路的直流稳定化电源,该平滑回路中必要的电解电容会因周围的温度及自身的发热而上升10℃,而导致寿命减半,所
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229887.html2011/7/17 22:56:00
