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点的温度超过半导体硅的熔点(1415℃)时所引起的。静电的脉冲能量可以产生局部地方发热，因此出现直接击穿灯管和ic的故障。即使电压低于介质的击穿电压，也会发生这种故障。一个典型的例
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127080.html2011/1/12 17:19:00
能好的银胶，增大金属支架的表面积，焊料凸点的硅载体直接装在热沉上等方法。此外，在应用设计中，pcb线路板等的热设计、导热性能也十分重要。 进入21世纪后，led的高效化、超高亮度化
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133827.html2011/2/19 23:18:00
展。近来，采用最近采用非晶硅（a-si）tft为阵列的am oled开发有突破性的发展，有助于oled产业的推展。若能结合oled业者在镀膜技术、oled封装技术及模块技术上的专长以
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133843.html2011/2/19 23:26:00
性。例如，采用大面积芯片倒装结构，选用导热性能好的银胶，增大金属支架的表面积，焊料凸点的硅载体直接装在热沉上等方法。此外，在应用设计中，pcb线路板等的热设计、导热性能也十分重要。 进
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133866.html2011/2/19 23:34:00
池工作寿命仅仅1~2年。因此，1w以下的小功率太阳能草坪灯,在没有过高寿命要求的情况下，可以使用滴胶封装形式，对于使用年限有规定的太阳能灯，建议使用层压的封装形式。另外，有一种硅凝
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134088.html2011/2/20 22:11:00
衡方程进行新一轮计算，直到满足计算精度为止。 2计算结果和分析 本文以直径为10cm的圆形单晶硅太阳电池为例，对不同串联内阻和换热系数下的太阳电池输出特性和工作温度进行了数
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134092.html2011/2/20 22:15:00
装结构，选用导热性能好的银胶，增大金属支架的表面积，焊料凸点的硅载体直接装在热沉上等方法。此外，在应用设计中，pcb线路板等的热设计、导热性能也十分重要。 进入21世纪
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134095.html2011/2/20 22:17:00
件的发光效率则已接近 30 lm/w。；能够推出全彩色 oled 的公司和研究单位越来越多，采用低温多晶硅 tft 驱动的全彩色器件也已经被开发了出来；白光 oled 得到了广泛的重
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134178.html2011/2/20 23:22:00
集光线的几何条件。 4.照度计 照度计通常由带导线的光电池和用来读出照度的电表组成。它可以直接用于照明现场进行测量。简单的照度计可采用硒光电池，精度较高的照度计采用硅光电池。
http://blog.alighting.cn/kinder/archive/2011/3/17/143357.html2011/3/17 19:53:00
装应用领域，争夺余下不到40%的利润，这一现实类似前几年的太阳能多晶硅行业。目前，中国已有超过4000家中下游led企业，它们主要集中在制造、辅料加工、外观设计行业，特点是投资规模
http://blog.alighting.cn/hekaifeng/archive/2011/3/22/144633.html2011/3/22 22:05:00
