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基超高亮度发光二极管的内量子效率比较低，但也在35～50%之间，半导体材料本身的光电转换效率己远高过其它发光光源，因此提高芯片的外量子效率是提高发光效率的关键。这在很大程度上要求设

http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233173.html2011/8/20 0:23:00

基超高亮度发光二极管的内量子效率比较低，但也在35～50%之间，半导体材料本身的光电转换效率己远高过其它发光光源，因此提高芯片的外量子效率是提高发光效率的关键。这在很大程度上要求设

http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258474.html2011/12/19 10:55:33

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http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261588.html2012/1/8 21:54:41

基超高亮度发光二极管的内量子效率比较低，但也在35～50%之间，半导体材料本身的光电转换效率己远高过其它发光光源，因此提高芯片的外量子效率是提高发光效率的关键。这在很大程度上要求设

http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268364.html2012/3/15 21:57:37

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http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271148.html2012/4/10 20:57:39

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http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279482.html2012/6/20 23:06:16

基超高亮度发光二极管的内量子效率比较低，但也在35～50%之间，半导体材料本身的光电转换效率己远高过其它发光光源，因此提高芯片的外量子效率是提高发光效率的关键。这在很大程度上要求设

http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262764.html2012/1/29 0:43:37

代其它光源的条件。然而，随着亮度持续提升，LED将在不久的将来取代白热灯与日光灯．且价格也会因量产技术进步而下降，应用需求将大幅增加。 1 xlt604芯片的结构功能 xlt60

http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133838.html2011/2/19 23:22:00

发，目前已通过科技部项目验收。　　1、si衬底LED芯片制造　　1.1 技术路线　　在si衬底上生长gan,制作LED蓝光芯片。　　工艺流程：在si衬底上生长al

http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120857.html2010/12/14 21:43:00

进入2011年，业界广泛开释出2010年环球特别是中国LED内涵芯片产能比赛恐激发本年市场供过于求的疑虑。韩国三星LED公司宣告推出五类输入功率凌驾和低于1w的高、中功率LED新

http://blog.alighting.cn/110231/archive/2012/2/7/263743.html2012/2/7 17:57:22