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一份出自华宇光电子的企业内部培训资料,现在分享给大家,欢迎下载附件查看详细内容。
https://www.alighting.cn/resource/20130606/125526.htm2013/6/6 11:49:16
在si衬底上生长了gan基led外延材料,分别转移到新的硅基板和铜基板上,制备了垂直结构蓝光led芯片。研究了这两种基板gan基led芯片的光电性能。在切割成单个芯片之前,对大
https://www.alighting.cn/2013/6/4 10:41:39
一份出自深圳雷曼光电科技有限公司的关于介绍《直插式led 封装制程容易出现的问题与排解》的技术资料,现在分享给大家,欢迎下载附件查看详细内容。
https://www.alighting.cn/resource/20130603/125539.htm2013/6/3 11:20:37
采用极性电气石(0001)晶面作为生长衬底,通过超声雾化热解技术,制备出直立片状晶体交叉构成的纳米zno薄膜,xrd和raman测试显示晶体为六方纤锌矿结构.利用电子探针和穆斯堡
https://www.alighting.cn/resource/20130603/125542.htm2013/6/3 10:41:19
一份出自深圳市瑞丰光电子股份有限公司,关于介绍《照明行业对光源需求》的讲义技术资料,现在分享给大家,,欢迎下载附件查看详细内容。
https://www.alighting.cn/resource/20130531/125545.htm2013/5/31 10:56:56
采用真空热蒸镀技术,在不同的掺杂浓度下,制备了4种双异质型结构的蓝色有机电致发光器件(oled),其结构为ito/cupc(30 nm)/npb(40 nm)/tpbi(30 nm
https://www.alighting.cn/2013/5/28 14:15:17
远达不到家庭日常照明的要求。封装技术是决定led进入普通照明领域的关键技术之一。文章对led芯片的最新研究成果以及封装的作用做了简单介绍,重点论述了封装的关键技术,包括共晶焊接、倒装焊
https://www.alighting.cn/2013/5/28 11:50:45
一份出自国际led创新论坛,由北京大学上海微电子研究院的颜重光/高工主讲的关于《大众led照明新技术发展趋势》的讲义资料,现在分享给大家,欢迎下载附件查看详细内容。
https://www.alighting.cn/2013/5/28 11:30:04
采用脉冲激光沉积技术在si/蓝宝石衬底上制备了zno薄膜,结合快速退火设备研究了不同退火温度(500~900℃)及退火气氛(n2,o2)对薄膜的结构及其发光性能的影响。并优化条件得
https://www.alighting.cn/2013/5/28 11:06:49
提出了一种热传导高、热膨胀匹配良好、低成本、大功率、高亮度led封装技术。该技术采用光电子与微电子技术相结合,利用背面出光的led芯片,倒装焊接在有双向浪涌和静电保护电路的硅基
https://www.alighting.cn/2013/5/23 11:36:13