站内搜索
国的osram就是以这样的架构开发出“thin gan”高亮度led。原理是在ingan层上形成金属膜，之后再剥离蓝宝石，这样，金属膜就会产生映像的效果而获得更多的光线取出，根
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133847.html2011/2/19 23:28:00
→生长ingan/gan多量子阱发光层→生长p型aigan层→生长p型gan层→键合带ag反光层并形成p型欧姆接触电极→剥离衬底并去除缓冲层→制作n型掺si层的欧姆接触电极→合金
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127090.html2011/1/12 17:23:00
用昂贵的gan基片。gan基片还用于部分蓝色led。 底板剥离方法示例 欧司朗的做法是在蓝宝石底板上形成gan类结晶层，粘帖金属反射膜，然后再粘帖作为支持底板的g
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127074.html2011/1/12 17:16:00
明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→sio2 沉积→窗口图形光刻→sio2 腐蚀→去胶→n极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→p 极图形光刻→镀膜→剥
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127001.html2011/1/12 0:49:00
成led芯片的正面反射电极和蓝宝石衬底剥离后的载体，此技术较简易，也比目前一般贴合技术在应力方面问题的更容易解决，可以得到更稳定与良率更高的单电极芯片，而利用此技术在后面电极制作
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126776.html2011/1/9 21:14:00
n晶格为六方晶系的würtzite结构，因此具有压电效应，界面应力产生的实时电场可以扰乱了led内的电流分布。不仅如此，金属基材即使不自接口剥离，其膨胀也可能撑裂缺陷的某中区，以
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126774.html2011/1/9 21:13:00
国公司极为看重的芯片外形技术、表面粗糙化技术、衬底剥离技术。封装领域，我国专利申请虽然有自身的优势分支，但在近年来较为热门的基座和荧光粉材料方面与国外差距巨大。应用领域，我国专利申
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126725.html2011/1/9 19:47:00
http://blog.alighting.cn/zhongguozhiguang/archive/2010/12/30/124591.html2010/12/30 12:57:00
n缓冲层→生长n型gan→生长ingan/gan多量子阱发光层→生长p型aigan层→生长p型gan层→键合带ag反光层并形成p型欧姆接触电极→剥离衬底并去除缓冲层→制作n型掺si
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120857.html2010/12/14 21:43:00
目前，led行业发展的主要的瓶颈就在技术层面，专利被大量注册在某种层面上的也制约了新技术的传播和发展，本章介绍六种在led生产中的技术；
https://www.alighting.cn/resource/20101129/128179.htm2010/11/29 17:27:34
