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低压mocvd生长参量对ⅱ型inas gasb超晶格材料表面形貌的影响

采用自制低压金属有机源化学气相沉积设备,在(100)面gasb单晶衬底上生长了ⅱ型inas/gasb超晶格材料.利用双晶x射线衍射、光学显微镜、原子显微镜和光致发光谱等分析手段

  https://www.alighting.cn/resource/20130418/125702.htm2013/4/18 14:00:59

由多个高斯函数表征的发光二极管光谱模型

利用发光二极管(led)光色综合测试系统测量不同颜色不同功率的led在多个流下的光谱,提出并构建了由多个高斯函数组成的led光谱模型,并根据各颜色led在额定流下的光谱计

  https://www.alighting.cn/resource/20130418/125704.htm2013/4/18 12:03:03

激发方式对algainp及gan基led学特性的影响

采用光激励与激励的方式对algainp与ingan/gan基led的学特性进行了表征,并重点比较分析了两种激励方式的下理想因子这一重要参数的差异。探讨了影响led理想因子的因

  https://www.alighting.cn/2013/4/15 10:33:09

柔性oled制备及性能

分别研究了在聚合物衬底和金属衬底上制备foled的工艺、结构及性能。在聚合物衬底上成功制备了2.8inch(7.112cm)的128×64单色foled显示屏,在驱动电压12v时屏

  https://www.alighting.cn/resource/20130411/125746.htm2013/4/11 10:42:17

gan基功率led老化早期的退化特性

对ingan/gan多量子阱蓝光和绿光led进行了室温900 ma流下的老化,发现蓝光led老化到24 h隧穿流最小,绿光led到6 h隧穿流最小;同时,两种le

  https://www.alighting.cn/2013/4/10 11:40:42

不同基板1w硅衬底蓝光led老化性能研究

其老化特性进行了对比研究。研究结果表明,在三种基板中铜支撑基板的器件老化后光特性最稳定。把这一现象归结于三种样品的应状态以及基板热导率的不同,其中应状态可能是影响器件可靠

  https://www.alighting.cn/2013/4/7 17:06:00

大众led照明新技术发展趋势

大众led 照明新技术是led 封装技术革新变化大、非隔离源渐成主流,psr 隔离源性价比富具竞争、高压线性恒流源简洁低廉、一体化光引擎成灯具厂新宠、平价 led 灯具

  https://www.alighting.cn/resource/20130407/125759.htm2013/4/7 15:52:18

led的不良情况分析

一份出自上海西怡新材料科技有限公司,作者是宣云遐/技术服务工程师,关于《led的不良情况分析》的讲义资料,现在分享给大家。

  https://www.alighting.cn/resource/20130402/125781.htm2013/4/2 14:20:50

控制装置爬距离和气间隙的测量

本文通过对爬距离和气间隙生成机理的解释,结合标准和决议的要求,对爬距离和气间隙测量过程及其注意事项和评判指标进行了说明,有助于对爬距离和气间隙的理解,并对测量工作的开

  https://www.alighting.cn/resource/20130329/125787.htm2013/3/29 11:22:11

硅衬底gan基led外延生长的研究

延片,其外延片的总厚度约为1.9μm。采用高分辨率双晶x-射线衍射(dcxrd)、原子显微镜(afm)测试分

  https://www.alighting.cn/2013/3/26 11:05:15

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