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在led衬底材料的技术和外延片生产设备方面，国产led照明产业存在明显瓶颈。我国企业led领域的自主创新和专利主要集中在封装阶段，而在最关键的白光、大功率led灯的热平衡问题、持
http://blog.alighting.cn/113268/archive/2011/11/15/253279.html2011/11/15 17:22:31
同方股份副总裁王良海12月14日透露，目前同方股份共到货50台mocvd（led外延片生产设备），已有20台投产，剩下的mocvd还将继续调试投产。他坦言，随着中国新增的mocv
http://blog.alighting.cn/228/archive/2011/12/15/257965.html2011/12/15 11:30:04
业发展led专业委员会主任郑浩闻告诉笔者，led产业链较长，从上游的衬底材料、外延、芯片到器件封装以及应用，涵盖了半导体工业和照明工业，是各学科交叉融合的产业。从国内的led产业布
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258464.html2011/12/19 10:54:49
具的质量水平，而众多国内企业的产品品质也确实到了必需提高的时候了。让成本下降、使技术成熟是整个产业链的事。led产业链的上、中、下游分别为外延材料与芯片加工、产品器件与模块封装、显
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258502.html2011/12/19 10:56:50
”全国高科技企业发展led专业委员会主任郑浩闻告诉记者，led产业链较长，从上游的衬底材料、外延、芯片到器件封装以及应用，涵盖了半导体工业和照明工业，是各学科交叉融合的产业。 从国
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258514.html2011/12/19 10:57:23
4mw的蓝光芯片,研究单位的水平为蓝光6 mw左右,绿光1～2 mw,紫光1～2 mw。随着外延生长技术和多量子阱结构的发展,超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善,如波
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258547.html2011/12/19 10:59:07
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258557.html2011/12/19 10:59:35
摘 要:用同种ｇａｎ基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片，测试比较了它们的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性。结果表明：ｇａｎ基led芯片在２０ｍａ以下的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258586.html2011/12/19 11:01:38
有一定的要求,通常都需要有大的带宽差和在材料的折射指数上要有很大的变化。不幸的是,一般没有天然的这种材料。用同质外延生长技术一般都不能形成所需要的带宽差和折射指数差,而用通常的异
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261338.html2012/1/8 20:19:40
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261482.html2012/1/8 21:45:35
