检索首页
阿拉丁已为您找到约 251条相关结果 (用时 0.0016617 秒)

基于mems的led芯片封装的光学特性分析

本文提出了一种基于mems的led芯片封装技术,利用体硅工艺在硅基上形成的凹槽作为封装led芯片的反射腔。分析了反射腔对led的发光强度和光束性能的影响,分析结果表明该反射腔可

  https://www.alighting.cn/resource/2010118/V1065.htm2010/1/18 14:49:11

led灯控制装置安规介绍

主要内容:范围、定义、分类、标识、防触电保护、接线端子、保护接地、潮态和绝缘电阻、电气强度测试、故障状态、变压气温升、异常状态、结构、爬电距离和电气间隙、螺钉、载流件和连接件、耐

  https://www.alighting.cn/resource/2012/3/31/145427_22.htm2012/3/31 14:54:27

autocad2009基础教程课件

图准确度差及劳动强度大等缺点。在目前的计算机绘图领域,autocad是使用最为广泛的计算机绘图软件。本文附件为autocad2009基础教程课件。希望对各位有所帮

  https://www.alighting.cn/resource/2009927/V947.htm2009/9/27 17:06:03

具有三角形ingan/gan 多量子阱的高内量子效率的蓝光led

构具有较高的电致发光强度、更高的内量子效率和更好的发光效率,所有的优点都归因于较高的电子鄄空穴波函数重叠率和低的stark 效应所产生的较高的载流子输入效率和复合发光效

  https://www.alighting.cn/2014/11/24 10:27:18

让你轻松搞定led日光灯安规问题

-2007标准和gb19510.1-2009标准中对整灯以及内置led驱动电源关于结构、内部线、爬电距离和电气间隙、绝缘和电气强度、耐热、耐火等方面的要

  https://www.alighting.cn/2014/11/17 11:02:55

eu3+荧光粉的制备和发光性能

于eu3+的5d0→7fj(j=1,2,3,4)特征锐线发射,eu3+摩尔分数为14%时荧光粉的发光强度

  https://www.alighting.cn/2014/7/16 10:49:56

半导体低压便携及中等电压led通用照明方案

led是低压器件,根据色彩及电流不同,led正向电压可介于2v至4.5v之间,并以恒定电流驱动,以确保所要求光强度和色彩。这要求电源转换及控制方案连接不同电源,甚至是电池。安森

  https://www.alighting.cn/2014/3/25 10:10:19

深度讲解高亮度矩阵式led封装技术和解决方案

0流明/瓦的led才能获得相当的效果。但到2005年,获得同样的荧光灯管发光效果所需的led数目减少了20倍,只需50个左右,每个led的发光效率为50流明/瓦或者更高,发光强度为6

  https://www.alighting.cn/resource/20131216/125000.htm2013/12/16 14:15:51

大功率高亮度led导电银胶以及其封装技术

导电胶是led生产封装中不可或缺的一种胶水,其对导电银浆的要求是导电、导热性能要号,剪切强度要大,并且粘结力要强。uninwell国际作为世界高端电子粘结剂的领导品牌,其开发的导

  https://www.alighting.cn/resource/20130916/125324.htm2013/9/16 11:33:08

led照明产品的散热设计

随着led(light emitting diode:发光二极管)的功率、发光强度和发光效率大幅度 提高(cree 2011 年量产的led 最高发光效率达到了161 lm/

  https://www.alighting.cn/2013/1/11 15:52:39

首页 上一页 19 20 21 22 23 24 25 26 下一页