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mocvd生长GaNGaN:mg薄膜的对比研究

对在sic衬底上采用mocvd方法制备的GaNGaN:mg薄膜进行x射线衍射、扫描电镜和拉曼散射光谱的进行了对比研究。

  https://www.alighting.cn/resource/20150316/123470.htm2015/3/16 14:53:52

日厂住友电工首创绿色雷射用2寸GaN基板量产技术

据悉,现行的制造技术仅能制作出数mm左右大小的长方形GaN基板。住友的GaN基板,突破这一量产组件的瓶颈,即使与现行已进行量产的GaN基板结晶面(crystal face)相

  https://www.alighting.cn/resource/20101125/128781.htm2010/11/25 0:00:00

市场回稳 广正式取消无薪假

广2011年10月因应led市场低迷,宣布实施无薪假,公司表示,由于市场逐步回稳,2012年元月初便取消无薪假,产线员工恢复正常上班。

  https://www.alighting.cn/news/20120217/115580.htm2012/2/17 9:46:32

晶电购入广防范中韩外延厂夹击

全球高亮度led今年产能供过于求,旺季不旺疑虑未减,但国内led外延龙头晶电仍看好明年照明爆发力可期,9日下午宣布,将透过股份转换方式100%并购广,换股比例为广普通股4.8

  https://www.alighting.cn/news/20120813/113087.htm2012/8/13 12:06:35

GaN基蓝光led关键技术进展

本文首先综述了GaN基材料的基本特性,分析了GaN基蓝光led制程的关键技术如金属有机物气相外延,p型掺杂,欧姆接触,刻蚀工艺,芯片切割技术,介绍了目前各项技术的工艺现状,最后指

  https://www.alighting.cn/resource/20141029/124155.htm2014/10/29 11:16:21

GaN及alGaN薄膜透射光谱的研究

利用透射光谱矩阵光学原理,对三种GaN或alGaN外延薄膜的透射光谱进行了分析.在传统的透射光谱拟合方法的基础上,添加了表征材料表面粗糙度、膜内散射情况的拟合参量,拟合曲线与实

  https://www.alighting.cn/2011/9/19 9:37:06

三星康宁展示1到6英寸的GaN基板

scpm公司正在将GaN基板作为可实现高效率led芯片的革新材料而推进开发。并进一步设想在无线通信用半导体元件及智能电网等用功率半导体元件等领域应用GaN基板。

  https://www.alighting.cn/news/20111021/115140.htm2011/10/21 10:31:09

bridgelux募集6000万美元用于GaN外延技术研发

bridgelux新近募集6000万美元,声明将攻关关键核心技术,如si衬底上GaN外延技术和面板上芯片的空间设计等新封装技术,以继续拓展其在固态照明市场中的地位。

  https://www.alighting.cn/news/20110808/115930.htm2011/8/8 10:40:54

si衬底GaN基led理想因子的研究

首次报道si衬底GaN led的理想因子。通过GaN ledi-v曲线与其外延膜结晶性能相比较,发现理想因子的大小与x射线双晶衍射摇摆曲线(102)面半峰宽有着对应关系:室温时s

  https://www.alighting.cn/resource/20111024/126970.htm2011/10/24 15:21:29

晶电欲并购广 台湾led产业进行大洗牌

我国台湾地区最大发光二极管(led)外延厂商晶元光电正发动新一波并购行动,计划并购第二大led外延厂广,以舒缓产能不足的窘境。

  https://www.alighting.cn/news/20090507/118460.htm2009/5/7 0:00:00

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