站内搜索
源，持续稳定支持基础研发，突破未来的白光普通照明核心技术，建立长效机制与创新的环境与氛围，在下一轮竞争中占据主导地位。要紧紧跟踪GaN(氮化镓)材料与器件的研究，实现重大装备国产
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271167.html2012/4/10 20:58:52
、采用碳化硅基板生长GaN薄膜，优点是在相同操作电流条件下，光衰少、寿命长，不足处是硅基板会吸光。二、利用芯片黏合及剥离技术制造。优点是光衰少、寿命长，不足处是须对led表面进行处理
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271156.html2012/4/10 20:58:07
掉原来用于生长外延层的衬底，然后将外延层键合转移倒导电和导热性能良好热导率大的衬底上，如铜、铝、金锡合金、氮化铝等。键合可用合金焊料如ausn、pbsn、in等来完成。si的热导率
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271148.html2012/4/10 20:57:39
构从事氮化镓基蓝绿led的材料生长、器件工艺和相关设备制造的研究和开发工作。其中处于世界领先水平的主要有：日本的nichia；美国的lumileds、gree；德国的osram等。这
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271135.html2012/4/10 20:56:26
是芯片本身；二是灯具技术，包含散热、光学、驱动。首先是芯片，目前，led芯片技术发展的关键在于基底材料和外延生长技术。基底材料由传统的蓝宝石材料、硅和碳化硅，发展到氧化锌、氮化镓等新
http://blog.alighting.cn/iled/archive/2012/4/10/270972.html2012/4/10 10:08:32
片本身；二是灯具技术，包含散热、光学、驱动。首先是芯片，目前，led 芯片技术发展的关键在于基底材料和外延生长技术。基底材料由传统的蓝宝石材料、硅和碳化硅，发展到氧化锌、氮化镓等新
http://blog.alighting.cn/125858/archive/2012/4/1/270043.html2012/4/1 22:16:49
好的发展前景： ①国内一些企业拥有核心知识产权，如晶能光电的硅衬底氮化镓蓝光项目，大连路美的芯片领域核心技术，都具有全球竞争力，这些企业在技术发展上容易形成示范效应，促进国内企业市
http://blog.alighting.cn/chlhzm/archive/2012/4/1/270008.html2012/4/1 13:24:50
http://blog.alighting.cn/lanjianghong/archive/2012/3/22/269114.html2012/3/22 9:54:44
、四个led芯片，可用于组装照明产品。模组封装也是一种多芯片封装，在氧化铝或氮化铝基板上以较小的尺寸、高的封装密度封装几十个或几百个led芯片，内部的联线是混联型式，即有多个芯
http://blog.alighting.cn/108092/archive/2012/3/17/268593.html2012/3/17 13:37:48
位为电子伏特（ｅｖ），例如砷化镓ｅｇ＝１．４３ｅｖ，峰值在近红外区，而磷化镓ｅｇ＝２．２６ｅｖ，发光峰值在绿区，对于ｇａａｓ等半导体材料或它们的组合晶体ｇａａｓｐ，其禁带宽度对
http://blog.alighting.cn/117400/archive/2012/3/16/268498.html2012/3/16 14:14:52
