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采用低温ain作为缓冲层,在(1102)γ面蓝宝石和(0001)с面蓝宝石上分别生长了(1120)非极性α面和(0001)极性с面GaN,用原子力显微镜和高分辨x射线衍射、光致发
https://www.alighting.cn/resource/20110817/127304.htm2011/8/17 11:37:33
利用低压金属有机物化学气相沉积方法在al2 o3 /si( 0 0 1 )衬底上制备出了六方结构的GaN单晶薄膜 .厚度为 1 .1 μm的GaN薄膜的 ( 0 0 0 2 )
https://www.alighting.cn/resource/20110815/127311.htm2011/8/15 17:59:24
本文档为台湾新世纪green inGaN/GaN led chipl0(9×11)led芯片的规格书。
https://www.alighting.cn/resource/20110729/127366.htm2011/7/29 15:08:48
本文档为台湾新世纪green inGaN/GaN led chip e0(8×10)led芯片的规格书。
https://www.alighting.cn/resource/20110729/127367.htm2011/7/29 14:55:59
本文档为台湾新世纪blue inGaN/GaN ledchip e0(8·10)led芯片的规格书。
https://www.alighting.cn/resource/20110729/127368.htm2011/7/29 14:40:46
本文档为台湾新世纪blue inGaN/GaN led chip p2 (45)led芯片的规格书。
https://www.alighting.cn/resource/20110729/127369.htm2011/7/29 14:21:46
本文档为台湾新世纪blue inGaN/GaN led chip i3 (15x15)led芯片的规格书。
https://www.alighting.cn/resource/20110729/127370.htm2011/7/29 14:12:29
本文档为台湾新世纪green inGaN/GaN led chip i0 (15x15) led芯片的规格书。
https://www.alighting.cn/resource/20110729/127371.htm2011/7/29 13:52:36
通过反射高能电子衍射仪(rheed)分析蓝宝石衬底在经过双热电偶校温的ecr-pemocvd 装置中清洗氮化实验表面晶质的rheed图像,研究了常规清洗和ecr等离子体所产生的活
https://www.alighting.cn/resource/20110726/127392.htm2011/7/26 18:57:31
介绍了在蓝宝石 /氮化铝复合衬底上外延生长碳化硅薄膜材料的工艺技术 .通过在蓝宝石衬底上预淀积一层薄的氮化铝缓冲层使碳化硅薄膜的成核和黏附性得到很大的改善 .用多种x光衍射方法对
https://www.alighting.cn/resource/20110726/127393.htm2011/7/26 18:35:12
