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赤崎和天野研究室于1992年在未使用inGaN单晶的情况下，制作出了比以往的pn结型更亮的蓝色led。是在p型alGaN和n型alGaN之间夹住掺杂了zn和si的GaN层双异质结
https://www.alighting.cn/resource/20141029/124149.htm2014/10/29 15:18:13
赤崎和天野的研究小组，就在GaN类蓝色led的开发中做出了重要贡献。赤崎在2001年获得了“应用物理学会成就奖”，获奖理由中有这样一段话：“在GaN类氮化物半导体材料和元器件的研
https://www.alighting.cn/resource/20141029/124150.htm2014/10/29 14:39:18
本文首先综述了GaN基材料的基本特性，分析了GaN基蓝光led制程的关键技术如金属有机物气相外延，p型掺杂，欧姆接触，刻蚀工艺，芯片切割技术，介绍了目前各项技术的工艺现状，最后指
https://www.alighting.cn/resource/20141029/124155.htm2014/10/29 11:16:21
在这些研究中，天野着重强调了功率器件应用的重要性。这是因为与si相比，GaN的带隙大、导热率高，具备适用于功率器件的特性，有望起到良好的节能效果。
https://www.alighting.cn/news/20141028/n812266709.htm2014/10/28 9:20:42
研究结果表明：采用较厚的蓝宝石衬底喝引入ain缓冲层均有利于led光提取效率的提高。
https://www.alighting.cn/resource/20141027/124165.htm2014/10/27 11:29:03
提高led芯片的出光效率是解决led光源大功率化和可靠性的根本。根据led芯片所用衬底材料的不同,总结了近年来提高GaN基led出光效率的研究进展,介绍了新的设计思路、工艺结构
https://www.alighting.cn/2014/10/24 11:41:38
韩国led厂商为了和中国业者竞争，首尔半导体(seoul semiconductor)和lg innotek积极研发”氮化镓”(gallium nitride、GaN)衬底，封测
https://www.alighting.cn/news/20141021/n168566551.htm2014/10/21 9:55:55
韩国led厂商为了和中国业者竞争，首尔半导体(seoul semiconductor)和lg积极研发GaN基板，封测厂也有意用硅取代环氧树脂(epoxy)，强化产品效能、延长使
https://www.alighting.cn/news/20141020/n335366513.htm2014/10/20 15:14:28
https://www.alighting.cn/news/20141020/97272.htm2014/10/20 12:04:16
研究了低能电子束辐照(leebi)对大功率GaN 基蓝光led 性能的影响。利用实验室提供的电子束模拟空间电子辐射，对蓝光led 进行leebi，并对比未辐照的led，研究其电
https://www.alighting.cn/2014/10/20 11:16:19
