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聚灿光电订购爱思强crius ii-l系统生产外延片

德国爱思强股份有限公司于1月15日宣布,聚灿光电科技(苏州)有限公司向其订购多套crius ii-l系统,用于大批量生产氮化(gan)发光二极管(led)外延片。所订购系统每

  https://www.alighting.cn/news/20130116/112829.htm2013/1/16 10:52:45

科学家发明彩色高效发光二极管

【led幕墙屏网】纳米晶体的尺寸仅为几纳米,却具有很高的发光潜力。现在,来自德国卡尔斯鲁厄理工学院(kit)和加拿大多伦多大学的科研人员借助纳米晶体,成功制造出了高效的

  http://blog.alighting.cn/jadsion/archive/2013/3/25/312349.html2013/3/25 14:06:29

第三代半导体材料gan产业现状和投资机会

作为一种化合物半导体材料,gan材料具有许多半导体材料所不具备的优异性能,包括能够满足大功率、高温高频和高速半导体器件的工作要求。其中gan区别于第一和第二代半导体材料最重

  https://www.alighting.cn/news/20060412/121135.htm2006/4/12 0:00:00

国星光电:国星半导体已申请200多篇氮化专利

近日,国星光电在深交所互动易平台上回答了投资者的问题时表示,algan垂直结构近紫外大功率led外延、芯片与封装研究及应用”及公司参与申报的“彩色micro-led显示与超

  https://www.alighting.cn/news/20200226/166729.htm2020/2/26 10:53:56

广决议撤回上市申请案

近日,裕隆集团转投资led外延厂广2008年财报出炉,其每股盈余为1.46元新台币,由于目前市况不佳,公司决撤回上市申请,待股市好转后再重新申请上市。

  https://www.alighting.cn/news/20090219/118907.htm2009/2/19 0:00:00

晶电控告广专利侵权案判决出炉 广胜诉

9月21日,led芯片大厂晶电控告广专利侵权案判决出炉,法院宣判晶电主张专利无效,广获得胜利。

  https://www.alighting.cn/news/20090922/119162.htm2009/9/22 0:00:00

led散热新方案,氮化硼成为关键材料

针对led的散热问题,led产业的许多先进解决方案中,处处采用了一种关键性材料-氮化硼(boron nitride,bn),该材料具有高绝缘性、高导热性、高润滑性、耐高温和不沾

  https://www.alighting.cn/news/20070614/106033.htm2007/6/14 0:00:00

转移板材质对si衬底ganled芯片性能的影响

在si衬底上生长了ganled外延材料,分别转移到新的板和铜板上,制备了垂直结构蓝光led芯片。

  https://www.alighting.cn/2015/3/3 10:32:36

肖特二极管简介

肖特二极管是贵金属(金、银、铝、铂等)a为正极,以n型半导体b为负极,利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。

  https://www.alighting.cn/resource/20110704/127473.htm2011/7/4 11:16:05

罗姆实现业界最小的低vf sic肖特势垒二极管

罗姆株式会开发出实现业界最小※正向电压(vf=1.35v)的第二代sic(silicon carbide:碳化)肖特势垒二极管“scs210ag/am”(600v/10

  https://www.alighting.cn/pingce/20120614/122390.htm2012/6/14 10:25:31

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