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外延生长的基本原理是:在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和sic,si)上,气态物质in,ga,al,p有控制的输送到衬底表面,生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生
https://www.alighting.cn/resource/20110428/127684.htm2011/4/28 11:47:30
本文为《标准gan外延生长流程》以图文结合的方式阐述了gan基外延片的生长过程与流程,使读者能够直观的学习到复杂的外延过程。
https://www.alighting.cn/resource/20121105/126308.htm2012/11/5 17:17:49
cree已经开始了从100 mm (4英寸)到150 mm (6英寸)晶圆制造的转移,此举将有助于大力提升产量及生产力,并降低芯片价格。但cree首席执行官chuc
https://www.alighting.cn/news/201227/n396137338.htm2012/2/7 9:51:36
将光发射器与硅电子学集成起来,将加速和扩大氮化镓在光电子和微电子方面的应用。 一、用硅作gan led衬底的优缺点 用硅作gan发光二极管(led)衬底的优点主要在
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/126998.html2011/1/12 0:46:00
日本shimei semiconductor开发出了一种在硅晶圆上生成的蓝光led,并计划明年4月上市。该公司声称,把硅晶圆作为gan外延附生的基板,可以显著降低成本、简化le
https://www.alighting.cn/news/2007210/V7950.htm2007/2/10 13:28:59
近日,科锐(nasdaq: cree)宣布与英飞凌(fse: ifx / otcqx: ifnny)签署长期协议,为英飞凌生产和供应wolfspeed sic碳化硅晶圆片。该协
https://www.alighting.cn/news/20180228/155330.htm2018/2/28 10:12:02
能耗减半的关键点是采用半导体材料碳化硅(sic)与硅基氮化镓(gan-on-si),凭借这些材料的电子属性可设计出紧凑且高效的功率电子电路。目前英飞凌已在其jfet和600v
https://www.alighting.cn/news/20140703/105266.htm2014/7/3 9:01:01
近日,由中国科学院半导体研究所研发的氮化镓蓝光半导体激光器研究取得重大突破,首次实现室温连续激射的氮
https://www.alighting.cn/news/2007724/V6183.htm2007/7/24 11:03:48
本文为2012亚洲led高峰论坛上晶能光电(江西)有限公司赵汉民先生所做之《硅衬底大功率led芯片的产业化及应用》的精彩演讲,本文主要围绕着硅衬底的led技术展开,到硅衬底le
https://www.alighting.cn/2012/6/26 15:44:39
随着中国大陆各大12 寸晶圆代工厂纷纷扩产,12 寸硅片的供给圧力加剧。上海新晟半导体是大陆第一家12 英寸晶圆供货商,得到国家的大力支持,未来新晟的量产有望缓解晶圆的涨价局
https://www.alighting.cn/news/20170124/147829.htm2017/1/24 9:58:57