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深度对比半导体照明三条主要技术路线

在led的制备过程中,上游的材料是决定led颜色、亮度、寿命等性能指标的主要因素。材料表面的粗糙度、热膨胀系数、热传导系数、极性的影响、表面的加工要求以及与外延材料间晶格

  https://www.alighting.cn/news/20160222/137107.htm2016/2/22 10:04:13

条形叉指n阱和p结的led设计及分析

采用0.35μm双栅标准cmos工艺最新设计和制备了叉指型siled发光器件。器件结构采用n阱和p结,n阱为叉指结构,嵌入到p中而结合成sipn结led。观察了sile

  https://www.alighting.cn/resource/20120312/126682.htm2012/3/12 10:46:52

低温cvd法在玻璃上制备zno纳米线阵列

采用化学气相沉积(cvd)法在镀cr(20nm)的玻璃上,低温制备了zno纳米线阵列。利用扫描电子显微镜(sem)和x射线衍射(xrd)对样品的表面形貌和微结构进行了分析表

  https://www.alighting.cn/resource/20130606/125528.htm2013/6/6 11:15:19

kyma公司推高掺杂的n+型氮化镓体单晶

这次kyma新研制的高掺杂n+型氮化镓的电阻率小于0.02欧姆厘米,导电能力得到极大提高,电阻率比他们以前的n型氮化镓低两个数量级。此外,kyma也成功开发了高掺杂n+

  https://www.alighting.cn/news/20110808/115929.htm2011/8/8 10:45:12

图形化led芯片的技术研究

本文的主要研究内容涉及图形化对gan基led发光二极管光电性能的影响。实验中制作了表面图形直径和周期不同的gan图形。再利用mocvd材料生长设备侧向外延生长了gan

  https://www.alighting.cn/resource/20120314/126666.htm2012/3/14 14:36:30

sigan基蓝光led钝化增透膜研究

在sigan 基蓝光led 芯片上生长了一层sion 钝化膜,使器件的光输出功率提高12%且有效降低了器件在老化过程中的光衰。

  https://www.alighting.cn/resource/20141010/124221.htm2014/10/10 14:53:30

图形化(pss)刻蚀设备工艺研究进展

图形化(pss)技术可以有效地减少外延材料的位错和缺陷,在氮化物器件制备中得到了广泛的应用。但是由于蓝宝石具有稳定的化学和物理性质,使得很难进行刻蚀和图形化制作。

  https://www.alighting.cn/2012/4/9 13:18:31

句容led蓝宝石材料项目获江苏发改委批复

近日,句容江苏同人电子年产2100万片led蓝宝石材料项目取得省发改委正式批复。项目总投资29853万美元,建筑物面积11.8万平方米,建设周期为2年。

  https://www.alighting.cn/news/20120828/99316.htm2012/8/28 15:16:45

三安光电蓝宝石项目获6000万元财政补贴

6月29日,三安光电收到福建省安溪县财政局《安溪县财政局关于拨付三安光电股份有限公司蓝宝石项目财政补贴的通知》安财企[2012]207号文件,根据县政府加快培育高新技术新兴产

  https://www.alighting.cn/news/20120702/113285.htm2012/7/2 11:33:14

激光剥离技术实现垂直结构gan基led

剥离, 结合金属熔融键合技术, 在300℃中将gan 基led 转移至高电导率和高热导率的, 制备出了具有垂直结构的gan 基led, 并对其电学和光学特性进行了测

  https://www.alighting.cn/2013/12/13 11:29:48

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