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采用自制的低压金属有机化学汽相淀积lpmocvd设备,在(100)面偏(110)面9°的ge单晶衬底上外延生长了gainp2材料,研究了生长温度、ⅴ/ⅲ比、生长速率等生长参数
https://www.alighting.cn/2011/9/19 9:55:26
采用自制的低压金属有机化学汽相淀积lp-mocvd设备,在(100)面gasb单晶衬底上外延生长了inassb材料.用x射线双晶衍射、光学显微镜和扫描电镜、电子探针能谱仪等对材
https://www.alighting.cn/2011/9/19 9:46:39
在蓝宝石基片上,以ceo2为缓冲层制备了高质量的双面tl2ba2cacu2o8(tl-2212)超导薄膜。以金属铈靶作为溅射源生长了c轴取向的ceo2缓冲薄膜,并对ceo2薄膜进
https://www.alighting.cn/resource/20110906/127193.htm2011/9/6 13:37:42
p chip的电流密度。同时这种结构还可以将pn结的热量直接通过金属凸点导给热导系数高的硅衬底(为145w/mk)，散热效果更优;而且在pn 结与p电极之间增加了一个反光层，又消
https://www.alighting.cn/resource/20110718/127423.htm2011/7/18 15:14:26
灯等简单光源，到爱迪生发明的白炽灯，再到荧光灯、卤素灯、高压钠灯、金属卤素化灯、三基色荧光灯等电光源。各种电光源的出现，在给世界带来了越来越多光明的同时，也带来了越来越多的节能环
https://www.alighting.cn/resource/20110316/127879.htm2011/3/16 10:16:13
内外白光led室内通用照明迅速发展的瓶颈，是亟待解决的共性关键问题。commb-led光源技术中文含义解释为led芯片直接贴在高反光率的镜面金属基板上的高光效集成面光源技术，封装技
https://www.alighting.cn/resource/2012/4/6/92052_85.htm2012/4/6 9:20:52
下的失效模式有2~3种,不同应力级别确定的激活能有一定的差异。通过对金丝引线球焊处开裂、金属化层失效等主要失效机理的产生原因以及温度、电流密度之间关系分析,认为基于arrheniu
https://www.alighting.cn/resource/20091127/V1027.htm2009/11/27 15:02:44
大.当灯端电压超过其额定电压l0%时，白炽灯和荧光灯的输入功率比额定值约增加l4%一l5%，金属卤化物灯与汞灯约增加21%～22%，而高压钠灯则增加28%。因此，当电压偏移量高出额
https://www.alighting.cn/resource/20071217/V189.htm2007/12/17 10:57:10
为400mj/ cm2 的条件下, 将gan 基led 从蓝宝石衬底剥离, 结合金属熔融键合技术, 在300?? 中将gan 基led 转移至高电导率和高热导率的硅衬底, 制备出了具
https://www.alighting.cn/resource/2012/4/11/101149_25.htm2012/4/11 10:11:49
、恒定电流输出的led驱动芯片的设计。利用一阶温度补偿和比例电阻分压技术在内部集成了带隙电压基准源，并产生0.25v的参考电压。芯片设计采用的高压工艺中提供高压横向扩散金属氧化物半导
https://www.alighting.cn/resource/2012/11/5/153915_53.htm2012/11/5 15:39:15
