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正申请iso14001安全与环境协议认证，将针对高亮度led（hbled）的需求上升，大幅增加其制程所使用的三甲基镓（tmg）、三乙基镓（teg）和叁甲基铟（tmi）的产
https://www.alighting.cn/news/20120316/113753.htm2012/3/16 14:41:15
采用440nm短波长ingan/gan基蓝光led芯片激发高效红、绿荧光粉制得高显色性白光led，研究了不同胶粉配比对klv发光性能的影响。
https://www.alighting.cn/2015/1/26 14:58:55
采用440 nm短波长ingan/gan基蓝光led芯片激发高效红、绿荧光粉制得高显色性白光led,研究了不同胶粉配比对led发光性能的影响。
https://www.alighting.cn/resource/20141008/124238.htm2014/10/8 10:13:30
本文在介绍了氮化镓材料的基本结构特征及物理化学特性之后，从氮化镓的外延结构的属性和氮化镓基高性能芯片设计两个方面对氮化镓材料和器件结构展开了讨论。
https://www.alighting.cn/resource/20131211/125017.htm2013/12/11 11:33:48
2月15日，中国科学院半导体所创新项目“氮化镓基倒装结构功率型半导体发光二极管(led)及关键技术”通过成果鉴定。
https://www.alighting.cn/news/200725/V136.htm2007/2/5 11:37:38
导读： 效率下降是阻碍gan基led在高电流密度这一重要的新兴应用领域大施拳脚的主要原因。但rpi的研究人员表示，通过采用极性匹配的外延结构可以克服这一缺
https://www.alighting.cn/resource/2011/11/1/10522_44.htm2011/11/1 10:52:02
配置背光的一种标准方法是使用两个分立式器件：一个采用dpak封装的100vmosfet，以及一个同样采用dpak封装的100v肖特基二极管。led背光单元中，肖特基二极管的高漏电
https://www.alighting.cn/resource/2014/3/7/155345_18.htm2014/3/7 15:53:45
本文为《标准gan外延生长流程》以图文结合的方式阐述了gan基外延片的生长过程与流程，使读者能够直观的学习到复杂的外延过程。
https://www.alighting.cn/resource/20121105/126308.htm2012/11/5 17:17:49
蓬安县重点区域夜景亮化提升工程规划，为郭基媛2021神灯奖申报雅江创意照明奖作品。
https://www.alighting.cn/case/20210408/45739.htm2021/4/8 9:57:29
通过开环聚合制备了透明的聚(二甲基-甲基苯基-甲基乙烯基)硅氧烷共聚物,考察了聚合条件对产物结构与性能的影响。以该共聚物为基础聚合物,含氢硅油为交联剂,在karstedt催化剂作
https://www.alighting.cn/resource/20110914/127153.htm2011/9/14 9:13:11
