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谢明勋研发长就照明光源、led新光源带来的产业新想法、led固态照明发展问题和led照明未来发展趋势等议题作出精彩阐述，结合实际产品的应用以及解决方案，为led灯具设计界带来一
https://www.alighting.cn/resource/2011/11/16/95530_86.htm2011/11/16 9:55:30
大功率高亮度发光二极管(led)以其节能、环保、寿命长等出色性能逐渐渗透到现代照明中，业界专家预测在21 世纪上半叶，以led 为代表的新型光源将会逐步发展成为电光源的主流产
https://www.alighting.cn/resource/2011/10/27/152442_49.htm2011/10/27 15:24:42
采用金属有机化学气相沉积技术,利用自催化法,在si(100)、(111)衬底上成功生长了inp纳米线。利用扫描电镜观察样品表面,在si(100)、(111)衬底上生长的纳米线形貌
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126966.htm2011/10/25 14:26:05
白光led具有发光效率高、功耗低、寿命长、环保等很多其它传统照明光源无法比拟的优势。因此被认为是取代白炽灯跟荧光灯最具潜力的照明光源。本文根据目前半导体照明的最新研究进展,介
https://www.alighting.cn/2011/10/24 13:56:27
高功率高亮度发光二极体(led)以其出色的色彩饱和度和使用寿命长的特点正渗透到一些照明应用中。然而，对热设计师来说，防止led过热是最具挑战性的任务。
https://www.alighting.cn/resource/20111020/126987.htm2011/10/20 15:59:53
采用分子束外延方法在室温下于si(001)表面上生长zno材料。实验发现:样品为闪锌矿和六角结构的zno混合多晶薄膜,其表面分布着一系列具一定取向的近似长方形的纳米台柱结构。在不
https://www.alighting.cn/resource/20111020/126988.htm2011/10/20 14:37:15
采用无催化脉冲激光沉积(pld)方法,在inp(100)衬底上生长纳米zno柱状结构。采用扫描电子显微镜(sem)、x射线衍射(xrd)以及光致发光(pl)谱等表征手段对zno纳
https://www.alighting.cn/resource/20111018/127005.htm2011/10/18 14:57:08
采用常压mocvd方法在cu/si(111)基板上生长zno薄膜,研究了缓冲层的生长温度对zno外延膜性能的影响。实验通过干涉显微镜、原子力显微镜、高分辨x射线衍射仪、光致发光谱
https://www.alighting.cn/resource/20111018/127007.htm2011/10/18 14:32:44
利用mocvd系统在al2o3衬底上生长ingan材料和ingan/gan量子阱结构材料。研究发现,ingan材料中in组份几乎不受tmg与tmi的流量比的影响,而只与生长温度有
https://www.alighting.cn/resource/20111018/127009.htm2011/10/18 14:04:18
本文报道了利用脉冲激光沉积技术在热氧化p型硅衬底上生长zno外延薄膜。引入高阻非晶sio2缓冲层，有效地降低了检测过程中单晶衬底对zno薄膜的电学性能影响。利用xrd，se
https://www.alighting.cn/2011/10/17 14:30:47
