站内搜索
文章分析了照明用半导体ｌｅｄ的外延、芯片及封装等相关技术，介绍了在光谱特性、散热性能、出光技术等方面的探索，提出了一些具体的解决方案，并对ｌｅｄ的产业化生产进行了讨论。
https://www.alighting.cn/resource/200728/V12305.htm2007/2/8 10:33:29
本文对基于硅热沉的大功率led 封装阵列进行了热模拟,同时结合传热学基本原理分析计算了各部分的热阻,然后,对实际工艺制备出的封装器件的结温进行了测量。结果表明,理论计算值与仿真结果
https://www.alighting.cn/2015/2/5 11:08:11
结果表明,理论计算值与热仿真结果基本一致,测量值也能很好地与理论计算值相吻合。
https://www.alighting.cn/2015/1/5 12:12:11
芯片和封装材料膨胀系数不匹配造成的界面应力、长时间蓝光照射引起的光降解和光热耦合作用造成了器件灾变性失效。
https://www.alighting.cn/resource/20141219/123897.htm2014/12/19 9:41:29
静电引起的失效机理可以概述为二次缺陷和熔融通道的产生、深浅能级载流子的运动和辐射复合、非辐射复合之间的转变等因素引起的led 性能退化。
https://www.alighting.cn/resource/20141011/124219.htm2014/10/11 10:09:34
通过x射线衍射分析、透射电镜观察、红外透射光谱分析、紫外-可见吸收光谱分析和光致发光试验,研究了用金属有机物化学汽相沉积(mocvd)的方法,在带有gan缓冲层的蓝宝石(al2o3
https://www.alighting.cn/resource/20130423/125683.htm2013/4/23 10:59:17
利用射频磁控溅射法在si(111)衬底上先溅射zno缓冲层,接着溅射ga_2o_3薄膜,然后zno/ga_2o_3膜在开管炉中850℃常压下通氨气进行氨化,反应自组装生成gan薄膜
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126963.htm2011/10/25 14:55:29
采用电镀金属基板及湿法腐蚀衬底的方法将硅衬底上外延生长的ganmqwled薄膜转移至不同结构的金属基板,通过高分辨x射线衍射(hrxrd)和光致发光(pl)研究了转移的gan薄膜应
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126968.htm2011/10/25 13:48:12
随着全球环保的意识抬头，节能省电已成为当今的趋势。led 产业是近年来最受瞩目的产业之一。发展至今，led产品已具有节能、省电、高效率、反应时间快、寿命週期长、且不含汞，具有环保效
https://www.alighting.cn/resource/2012/10/8/182538_04.htm2012/10/8 18:25:38
为这些屏幕供电就像许多工程的挑战一样，根据具体应用形成了各种各样的解决方案。在便携式显示器背光市场，一种更新、更智能的解决方案将彻底改变lcd屏幕的照明方式。本文将讨论当今市场中比
https://www.alighting.cn/resource/20140821/124332.htm2014/8/21 11:29:08
