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同参数的高温退火后,这些梯形台柱将变小,形成梯形纳米环,或分解为较小的纳米柱及其团簇结构等。分析表明:zno混合多晶薄膜的形成,以及表面纳米台柱的演变,与si(001)衬底、较低
https://www.alighting.cn/resource/20111020/126988.htm2011/10/20 14:37:15
将硅(si)衬底上外延生长的氮化镓(gan)基led薄膜,通过电镀的方法转移到铜支撑基板、铜铬支撑基板以及通过压焊的方法转移到新的硅支撑基板,获得了垂直结构蓝光led器件,并对
https://www.alighting.cn/2013/4/7 17:06:00
在si衬底上生长了oan基led外延材料，将其转移到新的硅基板上，制备了垂直结构蓝光led芯片。本文研究了这种芯片在不同n层刻蚀深度情况下的光电特性。在切割成单个芯片之前，对尺寸
https://www.alighting.cn/2013/12/12 11:53:38
近日，浙江水晶光电科技股份有限公司关于投资10,900万元人民币建设年产360万片高亮度led 用蓝宝石衬底项目发表公告。新项目位于浙江省台州市椒江区星星电子产业区a17、a6号
https://www.alighting.cn/news/20101025/105128.htm2010/10/25 0:00:00
本资料来源于2013新世纪led高峰论坛，是由晶能光电（江西）有限公司的孙钱/博士、硅外延研发副总裁主讲的关于介绍《硅衬底上氮化镓基垂直结构大功率led的研发及产业化》的讲义资
https://www.alighting.cn/2013/6/18 15:53:07
采用金属有机物化学淀积技术在不同倾角(0°—0.3°)的蓝宝石衬底上外延n型gan.通过原子力显微镜观察到n型gan均呈台阶流生长模式,0.2°和0.3°倾角衬底的n型gan表
https://www.alighting.cn/resource/20110831/127219.htm2011/8/31 16:42:02
对于高亮度led制造业来说，蓝宝石上gan明显是一种领先的方案;sic上gan几乎也一样，对眼下基于氮化物的无线/射频产品而言，它是一张中奖彩票。硅上gan也是用于这几个市场，但它
https://www.alighting.cn/resource/20101201/128165.htm2010/12/1 15:21:37
采用磁控溅射的方法在蓝宝石衬底上制备了氧化铟锡(ito)透明氧化物薄膜;研究了不同厚度薄膜的结构、光学和电学特性。经x射线衍射(xrd)测量,发现在蓝宝石衬底上生长的ito薄膜呈
https://www.alighting.cn/resource/20110909/127167.htm2011/9/9 9:52:23
太阳能光伏材料制备设备生产商浙江晶盛机电在4月20日发布公告，使用超募资金4，488万元投资月产10万片蓝宝石切磨抛项目。
https://www.alighting.cn/news/20130702/112350.htm2013/7/2 10:36:26
si衬底高效大功率紫外led灯珠，为晶能光电（江西）有限公司2015神灯奖申报技术。
https://www.alighting.cn/pingce/20150414/84542.htm2015/4/14 20:52:05
