站内搜索
电磁兼容设计通常要运用各项控制技术，一般来说，越接近emi源，实现emi控制所需的成本就越小。pcb上的集成电路芯片是emi最主要的能量来源，因此，如果能够深入了解集成电路芯
https://www.alighting.cn/resource/20140718/124431.htm2014/7/18 11:28:16
有一些高亮度lED芯片上p-n两个电极的位置相距拉近，令芯片发光效率及散热能力提高。而最近已有的生产，就是利用新改良的溶解(laserlift-o)及金属黏合技
https://www.alighting.cn/resource/20140716/124444.htm2014/7/16 9:52:01
成am-olED驱动控制芯片的mddi type2客端数据处理电路的实现方
https://www.alighting.cn/resource/20140715/124448.htm2014/7/15 10:14:52
与优化，从lED 集成封装的结构出发，设计出7 w cob 光学模型，通过逐一改变芯片间距、反光杯底部半径、深度和硅胶折射率四个变量来获得各个参数的最优
https://www.alighting.cn/resource/20140711/124451.htm2014/7/11 10:41:43
在现有蓝光芯片激发钇铝石榴石（yag）荧光粉来实现节能、高效的白光lED 照明的基础上，介绍了可以提高功率型白光lED 的取光效率和空间色度的均匀性的各种封装结构和材料。
https://www.alighting.cn/resource/20140711/124452.htm2014/7/11 10:23:34
sic功率组件主要应用于切换频率较高以及尺寸较小的电力电子装置中。然而，这样的趋势正为这类芯片的封装带来新的挑战。
https://www.alighting.cn/resource/20140710/124453.htm2014/7/10 11:29:36
lED芯片的光谱检测是lED芯片规模化制造的一项关键技术。根据光谱测量原理，针对lED芯片光谱测量应用的要求，文章研究了基于复杂可编程逻辑器件的lED芯片光谱采集系统。
https://www.alighting.cn/2014/7/9 10:40:36
lED的发光原理同传统照明不同，是靠p-n结发光，同功率的lED光源，因其采用的芯片不同，电流电压参数则不同，故其内部布线结构和电路分布也不同，导致了各生产厂商的光源对调光驱
https://www.alighting.cn/resource/2014/7/8/174916_65.htm2014/7/8 17:49:16
为中小尺寸olED提供了一种低成本、低功耗的单芯片解决方
https://www.alighting.cn/2014/7/8 11:08:13
传统管芯的功率比较小，需要散热也不多，所以在散热上，并没有什么严重问题，但大功率的lED 就不同了，它的芯片功率密度非常大。目前，由于半导体制造技术的原因，有80% 以上的输入功
https://www.alighting.cn/2014/7/8 10:20:58
