站内搜索
由于有机电致发光器件(orGaNic light-emitting devices,oleds)的主动发光、高亮度等优点,在显示和照明领域有极大的应用前景。报道了纳米zno薄膜
https://www.alighting.cn/resource/20110909/127166.htm2011/9/9 10:02:15
cob+ 模组器件，为广东晶科电子股份有限公司2016神灯奖申报技术。
https://www.alighting.cn/pingce/20160310/137822.htm2016/3/10 11:59:12
屏的一项重大突破，是目前全世界第一款能够做到p4以下的户外smd器件，为户外led显示屏提供了p4、p5这个细分市场的最优解决方
https://www.alighting.cn/pingce/20140516/121537.htm2014/5/16 10:50:30
件方案上创新，同步上下游的技术走向，协同发展;要在整合供应资源上创新，从应用需求出发反向整合电子器
https://www.alighting.cn/resource/20170410/149794.htm2017/4/10 13:18:23
electronicast 公司对未来10年led市场研究报告指出，2010年全球led器件普通照明应用领域所创造的市场价值为5亿美元，2011-2015年将以33.2%的年平
https://www.alighting.cn/news/20110526/90252.htm2011/5/26 11:02:13
位较好的符合，表明了在多量子阱发光二极管中由于inn和GaN相分离而形成的富in类量子点结构，主导着inGaN基发光二极管发光波长，体现了inGaN基发光二极管量子点发光的本质。同
https://www.alighting.cn/resource/2009911/V936.htm2009/9/11 17:27:36
针对于目前蓝光led所使用的蓝宝石衬底存在以下两个问题，蓝宝石和GaN存在着17%的晶格不匹配，直接在蓝宝石衬底上生长出来的外延缺陷严重。出光效率低下，大部分光被限制在led芯片
https://www.alighting.cn/resource/20120314/126667.htm2012/3/14 13:45:14
采用了有限元方法建立了GaN基倒桩led芯片的三维热学模型，并对其温度分布进行模拟，比较了再不同凸点分布，不同粘结层材料与厚度、不同蓝宝石衬底厚度及蓝宝石图形化下的倒装芯片温度分
https://www.alighting.cn/resource/20141126/124009.htm2014/11/26 15:05:31
为了降低si衬底GaN基led的开启电压及工作电压，本文提出了一种新型通孔结构发光二级管，并提出一种电路有限元模型，分析此结构发光二极管的注入电流在有源区内的分布情况。
https://www.alighting.cn/2013/8/20 13:57:10
唯首尔半导体以封装大厂身份积极加入GaN同质外延阵营，或对市场构成强烈的冲击。首尔半导体长期受制于其外延芯片产能限制，较大部分芯片资源来自集团外部，因此成本不具竞争力，在韩系三巨
https://www.alighting.cn/news/20120710/113328.htm2012/7/10 10:18:36
