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普莱西硅氮化镓led模块化智能照明解决方案

普莱西半导体有限公司(plessey)在2015年英国照明展luxlive上展示了其使用硅氮化镓magicled技术的模块化智能照明系统。

  https://www.alighting.cn/pingce/20151104/133905.htm2015/11/4 10:10:57

普莱思借力爱思强 扩大硅氮化镓led生产

普莱思半导体有限公司今日宣布已订购另一套crius?ii-xlmocvd 系统用于硅氮化镓led(发光二极管)的生产。

  https://www.alighting.cn/news/20140528/110692.htm2014/5/28 13:45:52

晶能光电新一代硅大功率led芯片问世

2012年6月12日,晶能光电(江西)有限公司新一代硅大功率led芯片产品发布会在广州香格里拉大酒店举行。晶能光电此次共推出包含28 *28、35*35、45*45和55 *5

  https://www.alighting.cn/news/2012614/n859040541.htm2012/6/14 1:55:12

中科新台厂高光能led光源预09年投产上市

据悉,台湾中部科学园区日前核定第一家节能厂商「高光能科技」进驻,高光能标榜拥有独步全球的led日光照明光源技术,和景美科技合作的生产线,预计2009年初投产上市,将使台湾le

  https://www.alighting.cn/news/20080807/93788.htm2008/8/7 0:00:00

“硅镓氮固态光源关键技术研究”取得重要进展

由南昌大学承担的863计划新材料领域课题“硅镓氮固态光源关键技术研究”日前通过了验收。该课题在第一代半导体材料硅衬底上研制成功第三代半导体材料氮化镓蓝色发光二极管,处于国际领

  https://www.alighting.cn/news/20060414/104488.htm2006/4/14 0:00:00

芯片大小和电极位置对GaNled特性的影响

摘 要:用同种ganled外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:ganled芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232804.html2011/8/19 0:06:00

芯片大小和电极位置对GaNled特性的影响

摘 要:用同种ganled外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:ganled芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258586.html2011/12/19 11:01:38

芯片大小和电极位置对GaNled特性的影响

摘 要:用同种ganled外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:ganled芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261482.html2012/1/8 21:45:35

芯片大小和电极位置对GaNled特性的影响

摘 要:用同种ganled外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:ganled芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262654.html2012/1/29 0:35:55

芯片大小和电极位置对GaNled特性的影响

摘 要:用同种ganled外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:ganled芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271756.html2012/4/10 23:31:25

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