站内搜索
本文为北京大学物理学院北京大学宽禁带半导体研究中心张国义教授6月份在亚洲led照明高峰论坛上面的演讲讲义，现在经张国义教授的同意，发布于新世纪led网平台分享与大家，希望能够对大
https://www.alighting.cn/resource/20110627/127492.htm2011/6/27 16:26:36
对于高亮度led制造业来说，蓝宝石上GaN明显是一种领先的方案;sic上GaN几乎也一样，对眼下基于氮化物的无线/射频产品而言，它是一张中奖彩票。硅上GaN也是用于这几个市场，但
https://www.alighting.cn/resource/20101201/128165.htm2010/12/1 15:21:37
GaN是极稳定、坚硬的高熔点材料，熔点约为1700℃，GaN具有高的电离度，在ⅲ—ⅴ族化合物中是最高的（0.5或0.43）。在大气压力下，GaN晶体一般是六方纤锌矿结构。
https://www.alighting.cn/resource/20110331/127800.htm2011/3/31 14:58:54
一份由深圳市量子光电子有限公司的裴小明/技术总监所整理主讲的关于《半导体照明led封装技术与可靠性》的讲义资料，现在分享给大家，欢迎大家下载附件查看详细内容。
https://www.alighting.cn/resource/20130417/125708.htm2013/4/17 14:54:21
美国加州大学圣芭芭拉分校（ucsb）利用氨热法试制出了GaN结晶，并在2007年9月16～21日于美国拉斯维加斯举行的“icns”上进行了发布（演讲序号:mp112）。氨热法应
https://www.alighting.cn/resource/20071002/128536.htm2007/10/2 0:00:00
最新半导体照明产业新技术与常见疑难问题解析及投资战略指导手册
https://www.alighting.cn/resource/200728/V12474.htm2007/2/8 16:38:30
日本推动奈米半导体生产优势「新五年计划」
https://www.alighting.cn/resource/200728/V12319.htm2007/2/8 10:50:05
主要内容：半导体照明市场特点、led应用案例、传统照明与led照明的区别、半导体照明市场的对策等。
https://www.alighting.cn/resource/2011/12/31/174935_29.htm2011/12/31 17:49:35
对在sic衬底上采用mocvd方法制备的GaN和GaN：mg薄膜进行x射线衍射、扫描电镜和拉曼散射光谱进行了对比研究。
https://www.alighting.cn/resource/20141223/123875.htm2014/12/23 11:11:59
采用mocvd技术在c面蓝宝石衬底上外延制备了n极性GaN薄膜。
https://www.alighting.cn/2014/11/27 14:08:56
