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本文档为台湾新世纪blue inGaN/GaN ledchip e0(8·10)led芯片的规格书。
https://www.alighting.cn/resource/20110729/127368.htm2011/7/29 14:40:46
本文档为台湾新世纪blue inGaN/GaN led chip p2 (45)led芯片的规格书。
https://www.alighting.cn/resource/20110729/127369.htm2011/7/29 14:21:46
本文档为台湾新世纪blue inGaN/GaN led chip i3 (15x15)led芯片的规格书。
https://www.alighting.cn/resource/20110729/127370.htm2011/7/29 14:12:29
本文档为台湾新世纪green inGaN/GaN led chip i0 (15x15) led芯片的规格书。
https://www.alighting.cn/resource/20110729/127371.htm2011/7/29 13:52:36
通过反射高能电子衍射仪(rheed)分析蓝宝石衬底在经过双热电偶校温的ecr-pemocvd 装置中清洗氮化实验表面晶质的rheed图像,研究了常规清洗和ecr等离子体所产生的活性
https://www.alighting.cn/resource/20110726/127392.htm2011/7/26 18:57:31
采用化学方法腐蚀部分c面蓝宝石衬底,在腐蚀区域形成一定的图案,利用lp-mocvd在经过表面处理的蓝宝石衬底上外延生长GaN薄膜.利用GaN薄膜光学透射谱,结合椭偏测量得到的折射
https://www.alighting.cn/resource/20110726/127394.htm2011/7/26 15:17:59
通常，GaN基材料和器件的外延层主要生长在蓝宝石衬底上。蓝宝石衬底有许多的优点：首先，蓝宝石衬底的生产技术成熟、器件质量较好；其次，蓝宝石的稳定性很好，能够运用在高温生长过程
https://www.alighting.cn/resource/20110726/127395.htm2011/7/26 11:57:10
使用熔融的koh在高温下对c面蓝宝石衬底进行不同时间的腐蚀,借助扫描电镜、原子力显微镜对衬底表面进行了表征,然后利用金属有机物化学气相沉积设备在不同腐蚀时间的衬底样品上进行了ga
https://www.alighting.cn/resource/20110722/127401.htm2011/7/22 15:10:39
https://www.alighting.cn/resource/20110722/127402.htm2011/7/22 14:38:53
通过研究蓝宝石衬底分子束外延(mbe)生长GaN薄膜过程中原位椭偏光谱,发现常规蓝宝石衬底mbe生长GaN薄膜的位错缺陷主要起源于缓冲层升温过程中应变能的释放程度。采用蓝宝石邻晶
https://www.alighting.cn/resource/20110722/127403.htm2011/7/22 14:04:45
