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件发光特性、效率的关键就在于基底材料与晶圆生长技术的差异。 在led的基底材料方面，除传统蓝宝石基底材料外，硅(si)、碳化硅(sic)、氧化锌(zno)、氮化镓(GaN)...
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229835.html2011/7/17 22:28:00
％。 2010年GaN mocvd的出货量 2010年第四季度，中国mocvd的采购量增加了一倍，数量比例从31％至64％，而韩国所占的数量比例从27％下降到只有5
http://blog.alighting.cn/李高/archive/2011/7/11/229448.html2011/7/11 21:43:00
0世纪60年代初，首只镓砷磷(gaasp)红光led诞生，人类开始致力于半导体照明光源技术的实现。 1994年，日本nichia(日亚)化学公司成功开发出GaN基蓝光le
http://blog.alighting.cn/quanlubiaoshi/archive/2011/7/8/229311.html2011/7/8 10:55:00
将GaN芯片和钇铝石榴石（yag）封装在一起做成。GaN芯片发蓝光（λp=465nm，wd=30nm），高温烧结制成的含ce3+的yag荧光粉受此蓝光激发后发出黄色光射，峰值55
http://blog.alighting.cn/lanyunsz/archive/2011/7/6/228855.html2011/7/6 17:44:00
以气相外延成长法成长磷砷化镓gaasp材料为主。一般来说，GaN的成长须要很高的温度来打断nh3之n-h的键解，另外一方面由动力学仿真也得知nh3和mogas会进行反应产生没有挥发
http://blog.alighting.cn/sz_nltsmt5188/archive/2011/6/24/226838.html2011/6/24 8:33:00
1,cree 著名led芯片制造商，美国cree公司，产品以碳化硅(sic)，氮化镓(GaN),硅(si)及相关的化合物为基础,包括蓝,绿,紫外发光二极管(led),近紫外激
http://blog.alighting.cn/sztatts/archive/2011/6/22/222656.html2011/6/22 14:48:00
题，这是目前主流的大功率led的生产方式。 美国lumileds公司于2001年研制出了algainn功率型倒装芯片（fcled）结构，其制造流程是：首先在外延片顶部的p型ga
http://blog.alighting.cn/zaqizaba/archive/2011/6/20/222243.html2011/6/20 22:21:00
、黄、绿等多种单色led，并用于各种信号指示、标识、数码显示，逐步发展到小型led显示屏等。1991年业界采用mocvd外延生长四元系材料，开发出高亮度发光二极管；1994年在ga
http://blog.alighting.cn/zaqizaba/archive/2011/6/19/222094.html2011/6/19 23:18:00
展的发光二极管给未来照明带来曙光。1996年，日本日亚化学公司在GaN蓝光发光二极管的基础上，开发出以蓝光led激发钇铝石榴石荧光粉而产生黄色荧光，所产生的黄色荧光进而与蓝光混合产
http://blog.alighting.cn/zaqizaba/archive/2011/6/19/222046.html2011/6/19 22:53:00
造流程是：首先在外延片顶部的p型GaN上淀积厚度大于500a的niau层，用于欧姆接触和背反射；再采用掩模选择刻蚀掉p型层和多量子阱有源层，露出n型层；经淀积、刻蚀形成n型欧姆接触
http://blog.alighting.cn/neuway/archive/2011/6/19/222027.html2011/6/19 22:45:00
