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外乎是单层的ｉｎｇａｎ／ｇａｎ量子井ｓｉｎｇｌｅ ｑｕａｎｔｕｍ ｗｅｌｌ或是多层的量子井ｍｕｌｔｉｐｌｅ ｑｕａｎｔｕｍ ｗｅｌｌ，而尽管制造ｌｅｄ的技术一直在进步但其发
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134112.html2011/2/20 22:50:00
出的光只有入射角≤25.8度这个空间立体角内的光，据报导，目前gan芯片的外量子效率在30％－40％左右，因此，由于芯片晶体的内部吸收，能射出到晶体外面光线的比例很少。据报导，目
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134134.html2011/2/20 23:01:00
级lif/al/lif/ al 量子阱[4]阴极结合起来，以及对其它结构如alq3/al，alq3/lif/al和 alq3/al/lif/al等，人们也有相当多的研究。众所周知，基
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134138.html2011/2/20 23:04:00
起的。 1. 内部量子效率不高，也就是在电子和空穴复合时，并不能100%都产生光子，通常称为由“电流泄漏”而使pn区载流子的复合率降低。泄漏电流乘以电压就是这部分的功率，也就是转化为热
http://blog.alighting.cn/maoyuhai/archive/2011/3/7/139179.html2011/3/7 15:40:00
除gaas衬底,代之于全透明的gap晶体。由于芯片内除去了衬底吸收区,使量子效率从4%提升到了25-30%。为进一步减小电极区的吸收,有人将这种透明衬底型的ingaalp器件制作
http://blog.alighting.cn/beebee/archive/2011/3/17/143431.html2011/3/17 21:54:00
用的yag：ce体系高许多,这样容易使白光led上到新台阶。6.开发多量子阱型芯片技术多量子阱型是在芯片发光层的生长过程中,掺杂不同的杂质以制造结构不同的量子阱,通过不同量子阱发出的多种光
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229928.html2011/7/17 23:20:00
期才逐渐成熟和完善起来。esaki 60年代提出超晶格的设想也直到80年代才得到大量应用。量子阱激光器就是最好的例证。mocvd制造技术在80年代末90年代初得到突飞猛进的发展,随
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229936.html2011/7/17 23:24:00
层的ｉｎｇａｎ／ｇａｎ量子井ｓｉｎｇｌｅ ｑｕａｎｔｕｍ ｗｅｌｌ或是多层的量子井ｍｕｌｔｉｐｌｅ ｑｕａｎｔｕｍ ｗｅｌｌ，而尽管制造ｌｅｄ的技术一直在进步但其发光层
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230341.html2011/7/20 0:17:00
所必须要面对的技术难题。而要真正开拓出一个全新的半导体照明时代，我们还要从以下几个方面努力攻克技术难题以及进一步规范半导体照明市场。3.１、ｌｅｄ芯片芯片是ｌｅｄ的核心，它的内部量
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230472.html2011/7/20 23:07:00
素分子大小匹配性,已可获得高品质双异质结构半 导体或量子井结构的led,便能将不同种类的单晶元素逐层地建构起来。更进一步讨论,电光转换效率也就是内部结构量子化效率(interna
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233160.html2011/8/20 0:19:00
