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本文主要阐述了algainp led和gan led芯片技术的研究发展情况及其led外部量子效率低的现状，介绍了改善电注入效率和提高芯片出光效率的几种方法，如芯片塑形、表面粗化
https://www.alighting.cn/resource/2012/11/22/135022_85.htm2012/11/22 13:50:22
色照明光源普遍推广应用的一个绊脚石。文章简述了提高外量子效率的几种有效途径,如表面微粗化技术、芯片非极性面/半极性面生长技术、倒装芯片技术、生长分布布喇格反射层(dbr)结构、激
https://www.alighting.cn/resource/20121120/126288.htm2012/11/20 18:12:22
明,在20ma注入电流下,器件外量子效率比粗化前提高了80
https://www.alighting.cn/2012/11/20 16:28:27
提高内量子效率要从led的制造材料、pn结外延生长工艺以及led发光层的出光方式上加以研究才可能提高led的nint，这方面经过科技界的不懈努力，已有显着提高，从早期的百分之几
https://www.alighting.cn/2012/11/16 10:46:27
层发光构造时为249lm/w，采用串联构造时为184lm/w”。理论界限值是假设光提取效率及内外量子效率全部为100%时的发光效率。而白色led的发光效率理论界限值为260lm/
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2012/10/29/295214.html2012/10/29 22:14:10
白色发光有机el元件的发光效率的理论界限值“在色温为4000k并采用单层发光构造时为249lm/w，采用串联构造时为184lm/w”。理论界限值是假设光提取效率及内外量子效率全部
https://www.alighting.cn/news/20121022/99081.htm2012/10/22 10:38:37
动性质。这种关于光的波粒二象性的认识，是量子理论的基础。光的波动说 关于光的本性的一种学说。第一位提出光的波动说的是与牛顿同时代的荷兰人惠更斯。他在17世纪创立了光的波动学说，与
http://blog.alighting.cn/13888/archive/2012/10/7/292280.html2012/10/7 18:46:33
用此一凹凸不规则之设计表面强化led光输出量，即为在芯片表面建立texture表面结晶架构。osram即有利用此方案开发thin gan高亮度产品，于InGaN层先行形成金属膜材质
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2012/9/19/290418.html2012/9/19 20:58:33
约70%的电能都变成了热能。具体来说，led结温的产生是由于两个因素所引起的。1．内部量子效率不高，也就是在电子和空穴复合时，并不能100％都产生光子，通常称为由“电流泄漏”而使p
http://blog.alighting.cn/trumpled/archive/2012/9/9/289456.html2012/9/9 11:47:13
斯（peter higgs）预言希格斯玻色子（希格斯玻色子是与希格斯场关联的量子；光子则是与电磁场关联的量子）存在。物理粒子规范模型是如今最准确描绘组成世界万物的基本粒子和作用在基本粒
http://blog.alighting.cn/yinjideng/archive/2012/9/1/288867.html2012/9/1 10:17:30
