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本文转载自新世纪LED论坛一篇研究报告，文中详述了中国LED衬底材料市场调研及投资发展前景，极尽细致详尽。推荐给业内人士参考。
https://www.alighting.cn/2012/12/4 15:27:54
本文章汇总了2013新世纪LED高峰论坛企业演讲ppt资料，现在分享给大家。
https://www.alighting.cn/2013/6/19 11:55:51
由于半导体制造工艺的复杂性，生产一个完整器件所需涉及的庞大工艺制程数量，以及检测内容的多样化等等原因，必然要求芯片生产中的“过程能力指数”分析必须在遵循原先质量统计理论的基础上有所
https://www.alighting.cn/resource/20140825/124327.htm2014/8/25 10:48:18
研究了gan/algan异质结背照式p-i-n结构可见盲紫外探测器的制备与性能。gan/algan外延材料采用金属有机化学气相沉积(mocvd)方法生长,衬底为双面抛光的蓝宝
https://www.alighting.cn/resource/20130522/125583.htm2013/5/22 10:23:13
通过分析电极层中的能流传输情况在电极上设计高折射率的耦合层来减少电极层对光的吸收以及提高光的投射，耦合层通过采用圆台结构来减少光在空气/耦合层界面上的全反射以提高gan基蓝光le
https://www.alighting.cn/2014/12/2 11:12:13
为了降低si衬底gan基LED的开启电压及工作电压，本文提出了一种新型通孔结构发光二级管，并提出一种电路有限元模型，分析此结构发光二极管的注入电流在有源区内的分布情况。
https://www.alighting.cn/2013/8/20 13:57:10
目前工研院已成功建立高温常压磊晶机台，更已在gan on gan技术上深耕多年，从早期的hvpe氮化镓基板成长到目前的蓝紫光LED磊晶技术，技术面皆已突破现今gan o
https://www.alighting.cn/2013/11/5 9:56:22
本文综述了LED外延片表面的各种基于微纳光学结构的加工技术，如通过在LED芯片表面上加工粗糙微结构、LED芯片表面双层微结构、二维光子晶体结构、双光栅结构等。
https://www.alighting.cn/2014/12/8 9:59:28
采用0.35μm双栅标准cmos工艺最新设计和制备了叉指型siLED发光器件。器件结构采用n阱和p衬底结,n阱为叉指结构,嵌入到p衬底中而结合成sipn结LED。观察了sile
https://www.alighting.cn/2013/4/28 10:30:13
本文简述当前LED散热行业内的问题，并指出了当前LED路灯不合理设计，以及某些错误观念。本文提出了一种LED路灯全新设计方案：散热器由数多太阳花式散热片拼组而成，每个散热片上配
https://www.alighting.cn/resource/20110727/127391.htm2011/7/27 11:32:50
