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求，须从系统的角度去考虑，如led光源、电源转换、驱动控制、散热和光学等。薄膜芯片技术崭露锋芒目前，led芯片技术的发展关键在于基底材料和晶圆生长技术。基底材料除了传统的蓝宝石材料、
http://blog.alighting.cn/146439/archive/2013/1/31/309123.html2013/1/31 10:29:56
商提供的零驰 led 晶片薄膜均匀扩驰， 使附灭正在薄膜表面紧密陈列的 led 晶粒拉 开，便于刺晶。 第二步：背胶 将扩好晶的扩晶环放正在未刮好银浆层的背胶机面上，背上银浆。点
http://blog.alighting.cn/146439/archive/2013/1/31/309122.html2013/1/31 10:26:53
度极难控制，所以电解电容的寿命必然会减少，从而影响led灯具的寿命。 对此，doug bailey认为，在led驱动电路输入部分可以考虑不用电解电容，实际上使用p
http://blog.alighting.cn/159060/archive/2013/1/31/309121.html2013/1/31 10:24:40
使用脉冲激光沉积(pld)方法在石英(sio2)和单晶si(111)基底上制备了具有高c轴择优取向的zno薄膜。测试结果显示:在30～70sccm氧气流量范围内,氧气流量5
https://www.alighting.cn/resource/20130128/126105.htm2013/1/28 13:14:42
用于led照明电路板的是名为“sp-nalt”的品种，专门面向日清纺精密机器的能以“卷对卷”工艺在pet薄膜线路板上封装led芯片的封装设备“nalt-01”开发。
https://www.alighting.cn/pingce/20130128/122042.htm2013/1/28 10:18:46
采用金属有机化学汽相沉积生长法(mocvd),在不同的衬底表面处理条件和生长温度下,在gaas衬底上生长出了zno薄膜。随着化学腐蚀条件的不同,可生长出优先定位不同的zno(10
https://www.alighting.cn/resource/20130123/126124.htm2013/1/23 14:41:54
利用gcr170型脉冲激光器nd：yag 的三次谐波(355nm)，以蓝宝石al2o3(0001)为衬底，在不同温度下采用脉冲激光沉积法制备了zno 薄膜.通过原子力显微镜
https://www.alighting.cn/resource/20130123/126125.htm2013/1/23 14:07:10
采用射频磁控溅射方法分别在蓝宝石(al2o3)(0001)和硅(100)衬底上制备zno薄膜.通过x-光衍射测量与分析表明两者都沿c轴方向生长,在al2o3衬底上的zno薄膜结
https://www.alighting.cn/resource/20130123/126126.htm2013/1/23 13:45:44
对采用磁控溅射方法生长在玻璃和柔性聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)塑料上的氧化铟锡(ito)薄膜的结构、光学和电学特性进行了对比研究。实验结果证明,完全可以采用磁控溅射的方法在柔性
https://www.alighting.cn/resource/20130123/126128.htm2013/1/23 10:29:32
阐述了zno薄膜材料的结构特点、电学性质和光学特性,详细介绍了各种制备氧化锌薄膜的方法,包括磁控溅射法、化学气相沉积法、喷雾热解法、溶胶-凝胶法、激光脉冲沉积法、分子束外延法、原
https://www.alighting.cn/2013/1/23 10:04:19
