站内搜索
对于led照明领域，去年底国家科技部、财政部启动的“十城万盏”计划，实在是一个诱人的大蛋糕。根据该计划，2010年要在10-20个城市推广30万盏以上led市政照明灯具，粗略计
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258498.html2011/12/19 10:56:35
d上游衬底材料、外延片、芯片生产上核心专利和领先技术，成为产业界的龙头，韩国和中国台湾地区通过技术跟踪和规模化发展成为全球重要的led生产基地，而中国大陆、马来西亚等国家和地区在技
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258497.html2011/12/19 10:56:33
光效果方面的优势，还是成为了欧洲消费者的最佳选择。在美国led灯饰也占了20%-30%的灯饰及应用照明市场，预计至2010年年底占有率会提升到90%以上。至于起飞很快的中国市场，目
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258496.html2011/12/19 10:56:32
d通常是用碳化硅、蓝宝石或其他材料的衬底制成。这些衬底吸收了led产生的一些光子，会降低效率。 迄今为止，hbled通常采用两种主要技术制成：ingan和allngap(也称
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258494.html2011/12/19 10:56:26
w。开发出最大发光功率5w、120lm的白光led。 osram和gree开发出碳化硅衬底的gan器件。 国外led的技术发展趋势是向大功率、高亮度、高效率、低成本方向发展。1．
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258489.html2011/12/19 10:56:09
性，提高了芯片寿命。2）键合技术 algainp和algainn基二极管外延片所用的衬底分别为gaas和蓝宝石，它们的导热性能都较差。为了更有效的散热和降低结温，可通过减薄衬底或去
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258474.html2011/12/19 10:55:33
以提高发光效率。三、是采用异质基板如硅基板成长氮化鎵led磊晶层，优点是散热好、易加工。制造垂直结构led芯片有两种基本方法：剥离生长衬底和不剥离生长衬底 。其中生长在砷化鎵生长衬
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258466.html2011/12/19 10:54:53
业发展led专业委员会主任郑浩闻告诉笔者，led产业链较长，从上游的衬底材料、外延、芯片到器件封装以及应用，涵盖了半导体工业和照明工业，是各学科交叉融合的产业。从国内的led产业布
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258464.html2011/12/19 10:54:49
出，推动led照明产业发展的动力源自3个方面：户外照明、显示器和汽车照明。在照明领域，2008年年底科技部、财政部启动半导体照明应用工程(简称“十城万盏”)试点工作，计划到2010
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258452.html2011/12/19 10:49:55
大多数led的生产是在一个蓝宝石或碳化硅衬底上沉淀多层gan薄膜，而晶能认为，基于硅衬底生长的led在成本节约和控制上将发挥更大潜力，并且性能丝毫不亚于传统工艺制作的led，晶能光电
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258444.html2011/12/19 10:49:37
