站内搜索
成都硅宝，有机硅材料供应商
https://www.alighting.cn/news/20200416/168046.html2020/4/16 14:05:09
近年来，随着对有机材料研究的深入，新的有机材料不断出现，对它的发光机理也有了更多了解。
https://www.alighting.cn/news/200727/V2211.htm2007/2/7 16:37:21
s和znse等材料,当它被加上正向电压时,电子和空穴的复合过程中产生的过剩的能量就会以光能辐射出来。近年来尤其是20世纪90年代初，日本研究者中村修二成功研制出掺mg的同质结GaN蓝光le
http://blog.alighting.cn/LVDEXPERT/archive/2009/11/30/20545.html2009/11/30 11:20:00
件发光特性、效率的关键就在于基底材料与晶圆生长技术的差异。 在led的基底材料方面，除传统蓝宝石基底材料外，硅(si)、碳化硅(sic)、氧化锌(zno)、氮化镓(GaN)...
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229835.html2011/7/17 22:28:00
而失效。因此,对于大工作电流的大功率led 芯片,低热阻、散热良好及低应力的新的封装结构是技术关键。采用低电阻率、高导热性能的材料粘结芯片;在芯片下部加铜或铝质热沉,并采用半包封结
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229964.html2011/7/17 23:38:00
0世纪60年代初，首只镓砷磷(gaasp)红光led诞生，人类开始致力于半导体照明光源技术的实现。 1994年，日本nichia(日亚)化学公司成功开发出GaN基蓝光le
http://blog.alighting.cn/quanlubiaoshi/archive/2011/7/8/229311.html2011/7/8 10:55:00
后十年，高亮度、全色化已成为led技术研究的主要课题。1991年日本东芝公司与美国hp公司研制成四元系橙色、黄色、黄绿色超高亮度led。1994年日本日亚公司研制成GaN（氮化
http://blog.alighting.cn/sqslove/archive/2010/2/27/34527.html2010/2/27 16:05:00
化镓（GaN）等材料组成，其内部结构具有单向导电性。 3）、晶片的结构： 焊单线正极性（p/n结构）晶片，双线晶片。晶片的尺寸单位：mil 晶片的焊垫一般为金垫或铝垫。其焊垫形
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120871.html2010/12/14 21:47:00
、黄、绿等多种单色led，并用于各种信号指示、标识、数码显示，逐步发展到小型led显示屏等。1991年业界采用mocvd外延生长四元系材料，开发出高亮度发光二极管；1994年在ga
http://blog.alighting.cn/zaqizaba/archive/2011/6/19/222094.html2011/6/19 23:18:00
基超高亮度发光二极管的内量子效率比较低，但也在35～50%之间，半导体材料本身的光电转换效率己远高过其它发光光源，因此提高芯片的外量子效率是提高发光效率的关键。这在很大程度上要求设
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233173.html2011/8/20 0:23:00
