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到我们所期望的目的. 4． 温度特性 (1)led的焊接温度应在250℃以下,焊接时间控制在3~5s之间.要注意避免led温度过高从而使芯片受损. (2)led的亮度输出
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261418.html2012/1/8 21:27:52
该驱动器的相关参数指标如下：型 号part no. 工作电压范围（v） 输入电流（ma） 效率（%） 功率因数 输出电压（v） 恒流及精度（ma） 瞬间电流（ma） 工作温度（℃）
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261426.html2012/1/8 21:28:15
片温度不超过60℃。3．连接方法： 大功率led基板与散热片连接时请保证两接触面平整，接触良好，为加强两接触面的结合程度，建议在led基板底部或散热片表面涂敷一层导热硅脂（导热硅
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261445.html2012/1/8 21:33:10
担的电压或电流过低则激发的led光强不够,就不能充分发挥led应有的效果,达不到我们所期望的目的.4． 温度特性(1)led的焊接温度应在250℃以下,焊接时间控制在3~5s之间
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261459.html2012/1/8 21:36:25
-45到80℃) 、内部dc-dc升压、以及图形加速指令等一些特性。solomon systech的oled驱动器都具备所有这些特性, 提升了oled的使用寿命和可靠性, 增
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261490.html2012/1/8 21:45:57
总裁张彦伟表示，封装技术的差异直接影响了led的质量，良好的封装和散热技术可以使led工作在结温60℃以下，寿命可以超过5万小时。而差的封装技术则会使led寿命缩短一半以上。“le
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261533.html2012/1/8 21:48:39
有精确几何尺寸的薄硅片。此过程中产生的硅粉采用水淋，产生废水和硅渣。 退火：双工位热氧化炉经氮气吹扫后，用红外加热至300~500℃，硅片表面和氧气发生反应，使硅片表面形成二氧化
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261548.html2012/1/8 21:49:35
通接受度较高的即为以氮化铝作为散热基板；然而，目前受限于氮化铝基板不适用传 统厚膜制程（材料在银胶印刷后须经850℃大气热处理，使其出现材料信赖性问题），因此 ，氮化铝基板线路需
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261888.html2012/1/8 22:43:58
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261891.html2012/1/8 22:44:02
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262589.html2012/1/29 0:32:05
