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基超高亮度发光二极管的内量子效率比较低，但也在35～50%之间，半导体材料本身的光电转换效率己远高过其它发光光源，因此提高芯片的外量子效率是提高发光效率的关键。这在很大程度上要求设

http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258474.html2011/12/19 10:55:33

基超高亮度发光二极管的内量子效率比较低，但也在35～50%之间，半导体材料本身的光电转换效率己远高过其它发光光源，因此提高芯片的外量子效率是提高发光效率的关键。这在很大程度上要求设

http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261588.html2012/1/8 21:54:41

基超高亮度发光二极管的内量子效率比较低，但也在35～50%之间，半导体材料本身的光电转换效率己远高过其它发光光源，因此提高芯片的外量子效率是提高发光效率的关键。这在很大程度上要求设

http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262764.html2012/1/29 0:43:37

基超高亮度发光二极管的内量子效率比较低，但也在35～50%之间，半导体材料本身的光电转换效率己远高过其它发光光源，因此提高芯片的外量子效率是提高发光效率的关键。这在很大程度上要求设

http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268364.html2012/3/15 21:57:37

基超高亮度发光二极管的内量子效率比较低，但也在35～50%之间，半导体材料本身的光电转换效率己远高过其它发光光源，因此提高芯片的外量子效率是提高发光效率的关键。这在很大程度上要求设

http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271148.html2012/4/10 20:57:39

化发展进程。 1965年，monsanto和惠普公司推出了用gaasp材料制作的商用化红色led，当时这种led灯的效率为每瓦大约0.1流明。 1968年，led灯的研发取得了突破

http://blog.alighting.cn/130803/archive/2012/5/2/273416.html2012/5/2 14:56:46

基超高亮度发光二极管的内量子效率比较低，但也在35～50%之间，半导体材料本身的光电转换效率己远高过其它发光光源，因此提高芯片的外量子效率是提高发光效率的关键。这在很大程度上要求设

http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279482.html2012/6/20 23:06:16

场供过于求，在竞争激烈的同时，价格急剧下滑，这样一来将进一步提高led照明市场的渗透率。　　当然，日本在GaN蓝、绿光led等领域突破了一批产业关键和共性技术并在世界范围内设立了专利

http://blog.alighting.cn/jieke/archive/2012/7/11/281414.html2012/7/11 14:05:37

向电压时，少数载流子难以注入，故不发光。由于半导体材料的带隙能量不同，不同半导体材料的led可以发出不同颜色的光。　　led光源具有体积小、寿命长、耗电量小、反映速度快、颜色丰富、

http://blog.alighting.cn/jieke/archive/2012/7/11/281426.html2012/7/11 14:28:49

化发展进程。 1965年，monsanto和惠普公司推出了用gaasp材料制作的商用化红色led，当时这种led灯的效率为每瓦大约0.1流明。 1968年，led灯的研发取得了突破

http://blog.alighting.cn/146439/archive/2012/7/19/282605.html2012/7/19 11:05:03