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型器件大电流工作下问题十分突出。碳化硅sic作为衬底材料应用的广泛程度仅次于蓝宝石,目前还没有第三种衬底用于gan led的商业化生产。sic衬底有化学稳定性好、导电性能好、导热性
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229923.html2011/7/17 23:18:00
芝的计划,sed真正量产要到2007年,到那时候lcd和pdp厂家可能不但已经赚回了研发费用,连生产线的折旧费都已经回来了。所以sed在一开始时价格上可能并不占优势,这也是为什么fe
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229937.html2011/7/17 23:25:00
至影响到整个市常如何规范化生产,如何生产出真正意义上的低衰减、长寿命的 led显示屏产品？本文仅从led显示屏生产过程的静电防护角度,讨论该过程静电带来的危害及其防护方法。静电产
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229941.html2011/7/17 23:26:00
产300亿只的能力,实现超高亮度aigslnp的led外延片和 芯片的大生产,年产10亿只以上红、橙、黄超高亮度led管芯,突破gan材料的关键技术,实现蓝、绿、白的led的中批量生
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229942.html2011/7/17 23:26:00
了纯度高,平整性好外,量产能力及磊晶成长速度亦较mbe为快,所以现在大都以mocvd来生产。其过程首先是将gaas衬底放入昂贵的有机化学汽相沉积炉(简mocvd,又称外延炉),再通
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229946.html2011/7/17 23:29:00
和度会被牺牲。至于在led技术部份,现阶段各厂商所生产的led背光模块,大多以r、g、b三色led做组装,并以直下式技术搭配背光区域控制技术(local dimming),在独
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229965.html2011/7/17 23:39:00
中：a为芯片的pn结面积,q是电子电量,w是pn结的势垒区宽度,ln、lp 分别为电子、空穴的扩散长度,β是量子产额(即每吸收一个光子产生的电子-空穴对数), p是照射到pn
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230108.html2011/7/18 23:49:00
日本四团体共同制定的《照明用白色led 测光方法通则》为目前唯一针对照明用白光发光二极管 (led)所制定的测量标准,本文将对其内容进行介绍及分析,以供读者及有关产、学、研部门参
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230113.html2011/7/18 23:51:00
散长度,j表示以光子数计算的平均光强,α为p-n结材料的吸收系数,β是量子产额,即每吸收一个光子产生的电子一空穴对数。在led引脚式封装过程中,每个led芯片是被固定在引线支
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230114.html2011/7/18 23:52:00
日本四团体共同制定的《照明用白色led 测光方法通则》为目前唯一针对照明用白光发光二极管(led)所制定的测量 标准,本文将对其内容进行介绍及分析,以供读者及有关产、学、研部门参
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230133.html2011/7/19 0:01:00
