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薄和芯片分离的工艺过程，而在这个过程中，外延片有可能碎裂、局部残缺碎裂或局部残缺，使得实际的芯片分布与储存在分选机里的数据不符，造成分选困难。 从根本上解决芯片测试分选瓶颈问
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120858.html2010/12/14 21:43:00
及应用系统设备 ※ led背光源、led幕墙/显示屏、霓虹灯 ※ led灯具、太阳能灯具 ※ led产品工程应用展示 ※ oled产品 ※ led外延片、芯片及各类封装器件
http://blog.alighting.cn/flashhsj/archive/2010/12/14/120790.html2010/12/14 16:42:00
目前，上海半导体照明产业基地已形成以张江高科技园区为核心，辐射嘉定、松江、杨浦、普陀等区的半导体照明产业群，形成了从基片材料、外延、芯片、封装到应用的较为完整的产业链。上海照明—
http://blog.alighting.cn/flashhsj/archive/2010/12/14/120787.html2010/12/14 16:21:00
https://www.alighting.cn/news/20101214/115655.htm2010/12/14 10:24:25
高的数据移位时钟是显示屏获取高刷新率画面的基础。目前主流恒流源驱动芯片移位时钟频率一般都在15 mhz以上。 在led上游外延片、芯片生产上，美国、日本、欧盟仍拥有很大的技术优势，
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120565.html2010/12/13 23:09:00
用过程中,降低器件及系统热阻[ 3 ] ,从而降低芯片温度;优化led 外延层结构,减少电流泄漏,增加电子、空穴在结区的复合几率,是提高l ed 在大功率下发光效率的两个主要途径。
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120562.html2010/12/13 23:08:00
led外延片生长基本原理 led外延片生长的基本原理是，在一块加热至适当温度的衬底基片（主要有红宝石和sic两种）上，气态物质in,ga,al,p有控制的输送到衬底表面，生长
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120564.html2010/12/13 23:08:00
状 ingaalp超高亮度红（橙、黄）光led问世于1991年，经过改进的结构如图1所示。我国起步于1996年，南昌欣磊公司首先用进口的ingaalp外延片制成芯片，1998年国内第一台生产
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120547.html2010/12/13 23:04:00
属的电迁移的问题，但是与集成电路中互连线金属电迁移有所不同，主要是纵向迁移，即p型欧姆接触金属沿缺陷管道电迁移到达结区造成短路[7－11]，导致器件失效。由于没有匹配的衬底材料，外
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120548.html2010/12/13 23:04:00
业目标是达到年产３００亿只的生产水平，实现超高亮度ａｉｇｓｌｎｐ的ｌｅｄ外延片和芯片的大批量生产，年产１０亿只以上红、橙、黄超高亮度ｌｅｄ管芯，突破ｇａｎ材料的关键技术，实现蓝、绿、
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120544.html2010/12/13 23:03:00
